差分闪存器件及提高差分闪存器件耐久性的方法技术

提供一种提高差分闪存器件耐久性的方法和差分闪存器件，该方法包括：读取所述第一闪存单元和所述第二闪存单元以确定至少与所述第一阈值电压和所述第二阈值电压关联的第一电流，所述第一阈值电压等于第一值，所述第二阈值电压等于第二值；确定所述第一电流是否对应于预定逻辑状态；如果所述第一电流未对应于所述预定逻辑状态，则对所述第一闪存单元和所述第二闪存单元进行编程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造
，具体而言，本专利技术涉及一种使用差分单元 设计的闪存器件和提高差分闪存器件耐久性的方法。
技术介绍
业内已经提出或者使用各种存储器器件。这样的存储器器件的一个例子是可擦可 编程只读存储器(“EPR0M”)器件。EPROM器件既可读又可擦、即可编程。具体而言，使用 具有二进制状态的浮动栅极场效应晶体管来实施EPR0M。也就是说，通过在浮动栅极上存在 或者不存在电荷来表示二进制状态。一般来说，即使在正常高信号施加到EPROM晶体管的 栅极时电荷仍然足以防止导通。许多种EPROM是可用的。在传统和最基本形式中，通过曝光于紫外线对EPROM进 行电编程和擦除。这些EPROM通常称为紫外线可擦可编程只读存储器(“UVEPR0M”)。可 以通过在向UVEPR0M晶体管的栅极施加正电势时在UVEPR0M晶体管的漏极与源极之间运行 高电流来对UVEPR0M进行编程。栅极上的正电势从漏极到源极的电流吸引高能电子(即热 电子)，其中电子跳跃或者注入到浮动栅极中并且变为在浮动栅极上被俘获。另一形式的EPROM是电可擦可编程只读存储器(“EEPR0M”或者“E2PR0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高差分闪存器件耐久性的方法，所述差分闪存器件包括第一闪存单元和第二闪存单元，所述第一闪存单元包括与第一阈值电压关联的第一晶体管，所述第二闪存单元包括与第二阈值电压关联的第二晶体管，所述方法包括：读取所述第一闪存单元和所述第二闪存单元以确定至少与所述第一阈值电压和所述第二阈值电压关联的第一电流，所述第一阈值电压等于第一值，所述第二阈值电压等于第二值；确定所述第一电流是否对应于预定逻辑状态；如果所述第一电流未对应于所述预定逻辑状态，则对所述第一闪存单元和所述第二闪存单元进行编程。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗文哲，欧阳雄，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]