【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及可靠性测试领域，特别涉及。
技术介绍
半导体制造技术的发展使得芯片尺寸进一步减小，而芯片上的器件密度进一步增 大，从而可以在一块面积很小的芯片中实现更多功能。但随之带来的问题是，芯片的工作温 度也越来越高。相应地，芯片使用寿命就成为了关注的重点，经研究表明，芯片的使用寿命 随芯片上器件的温度升高成指数下降的趋势。芯片在出厂前一般都会经过一系列的测试来确保其可靠性，而通过其中的老化测 试，或称为加速测试(accelerated test)，能够检测芯片的使用寿命是否符合设计要求。老 化测试中往往会选取高温、高压、高湿度等芯片的模拟工作环境，将高温、高压、高湿度等作 为加速因子，以达到在短时间内准确地模拟出芯片使用寿命的目的。例如，在高温环境下的老化测试中，测试环境温度远高于芯片的正常工作温度，在 获得老化测试结果的过程中，常会将老化测试时的测试环境温度作为测试时芯片的实际温 度。但事实上，测试时，随着芯片上器件密度增加，功耗会增加，导致芯片内部的实际温度高 于测试环境温度。另外，高温高压测试中，较高的测试电压会进一步提高芯片的实际温度， 也就是说此...
【技术保护点】
一种芯片温度感知装置，其特征在于，包括位于芯片内部的金属材质的线型结构，所述线型结构与芯片内部的冗余结构共同位于芯片内部与功能电路相邻的冗余区域，或者所述线型结构为与所述功能电路相邻的冗余结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭强，龚斌，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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