【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件的测试装置，尤其时一种使用ALPG测试仪进行DP SRAM测试的装置。
技术介绍
DualPort SRAM(简称DP SRAM)器件要实现高速的数据读写操作，因此一般对于同 一个存储空间会设置有两组地址系统，以便同时进行读写操作，提高存储器件的速度。对于 DP SRAM的测试主要是验证能否通过DP SRAM的两组地址系统实现对每个存储单元高速的 读写操作。由于DP SRAM测试的特殊性，需要同时对芯片的不同地址进行读写操作，对于常 规的Memory测试仪使用ALPG算法产生测试向量，测试速度快。但是由于不能同时对不同 地址进行操作，所以目前常规的测试方法是用logic pattern测试仪进行测试，测试向量相 对Memory测试仪ALPG测试向量十分复杂，测试时间相对很长。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种使用ALPG测试仪进行DP SRAM测试的装 置，能够提高测试效率，节约测试时间。为解决上述技术问题，本专利技术使用ALPG测试仪进行DP SRAM测试的装置的技术方 案是，所述DP SRAM器件有两组独立的地址系...
【技术保护点】
一种使用ＡＬＰＧ测试仪进行ＤＰ ＳＲＡＭ测试的装置，所述ＤＰ ＳＲＡＭ器件有两组独立的地址系统对应同一个存储空间，其特征在于，除最高位以外，所述两组独立的地址系统中其它对应的每个位都相互连接，两个最高位相互不连接，并且有效时的电平状态相反，所述两组独立的地址系统都连接至ＡＬＰＧ测试仪相应的端口上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋鋆鋆，曾志敏，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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