【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，尤其是涉及一种正光阻形成倒梯 形形状的工艺方法。
技术介绍
光刻工艺就是通过光刻机把光罩上的电路图形通过光阻的光化学反应传递到晶 片上，主要工艺流程分为涂胶，曝光，显影三大步骤。光刻定义出的正光阻图形的正常剖面形状为正梯形，所述正梯形的顶边长度小于 底边的长度，并且其底角角度在80 90度之间，在这一范围内的底角角度能通过调整曝光 焦距来调节。但某些特殊工艺需要将光阻图形定义成上大下小的倒梯形结构也即是所述光 阻图形的剖面形状为顶边长度大于底边长度的倒梯形，并且希望所述倒梯形的底角角度在 135度左右；使用正光阻并仅通过调整曝光焦距是无法满足这些特殊工艺的要求。有一种方法是应用图形反转型光阻来形成倒梯形结构的光阻图形。如图1所示， 为现有技术中应用图形反转型光阻形成倒梯形形状的样品剖面示意图。应用图形反转型光 阻形成倒梯形形状的工艺步骤主要包括步骤一，如图IA所示，在一晶片上涂布一图形反 转型光阻，接着进行前烘；步骤二，如图IB所示，对所属图形反转型光阻进行带光罩曝光， 将所需的图形定义在图形反转型光阻上；步骤三，如...
【技术保护点】
一种正光阻形成倒梯形形状的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在晶片上进行第一次涂胶，形成第一正光阻层；步骤二、对所述第一正光阻层进行全面曝光，使所述第一正光阻层完全感光；步骤三、在所述第一正光阻层上进行第二次涂胶，形成第二正光阻层；步骤四、对所述第二正光阻层进行带光罩曝光，将所需要的图形定义到所述第二正光阻上；步骤五、对晶片进行显影，通过调整显影时间来控制所述图形的倒梯形剖面角度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈显旻，邵平，孙飞磊，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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