【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种太阳能电池，尤其涉及该太阳能电池的电极图形结构。
技术介绍
太阳能晶体硅电池的制造工艺有清洗、扩散、刻蚀、去磷硅玻璃、镀减反射膜、丝 网印刷、烧结。其中丝网印刷是把负电极银浆，背电场铝浆，正电极银浆按照一定的图形样 式使用不锈钢网板印刷到硅片正反表面。在制作太阳组件时，需要采用涂锡铜带焊接在主 栅线(既印刷上的电池负极)上，然后电池片间再通过涂锡铜带互相连接，通过层压、组框 工艺后制成太阳电池组件。 其中现有技术中的电极图形如图l所示，由于银制栅线IO需要在高温状态(700°C 以上)下烧结，使之与硅片基体形成良好的欧姆接触。在这过程中由于膨胀收縮问题，会在 银和硅交界处产生热应力。组件生产时，同样也需采用较高温度和一定力度把涂锡铜带焊 接到指定位置，这也会加剧这种热应力。现在随着切片技术的发展，晶体硅片基体越来越 薄，随之而来的是由于上述热应力产生的碎片问题变得也更突出。
技术实现思路
本技术提供了一种太阳能电池的电极结构，旨在解决上述的问题。 为了解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现 本技术包括本体；在本体上包括两条主栅线和与主栅线垂直的不低于40条 的细栅线；细栅线线间距为2. 40 2. 75mm，均匀的分布在电池表面；在主栅线一头距离电 池边缘不小于6. 12mm的位置，主栅线宽度从1. 8mm逐渐加宽至宽度在2. 5mm-3mm之间，这 端主栅线边缘到晶体电池片边缘的距离大于3mm。 与现有技术相比，本技术的有益效果是通过改变设计结构，释放在生产过程 中出现的热应力，适应今后薄片发展需要；在不影响接触电阻的同时，降低了浆料...
【技术保护点】
一种太阳能电池的电极结构，包括：本体；在本体上包括两条主栅线和与主栅线垂直的不低于４０条的细栅线；细栅线线间距为２．４０～２．７５ｍｍ，均匀的分布在电池表面；其特征在于：在主栅线一头距离电池边缘不小于６．１２ｍｍ的位置，主栅线宽度从１．８ｍｍ逐渐加宽至宽度在２．５ｍｍ－３ｍｍ之间，这端主栅线边缘到晶体电池片边缘的距离大于３ｍｍ。
【技术特征摘要】
一种太阳能电池的电极结构，包括本体；在本体上包括两条主栅线和与主栅线垂直的不低于40条的细栅线；细栅线线间距为2.40～2.75mm，均匀的分布在电池表面；其特征在于在主栅线一头距离电池边缘不小于6.12mm的位置，主栅线宽度从1.8mm逐渐加宽至宽度在2.5mm-3mm...
【专利技术属性】
技术研发人员：任路辉，
申请(专利权)人：上海晶龙光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[]
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