切割方法技术

在本发明专利技术的切割方法中，预先减小紫外线固化型粘合剂的粘合力，另一方面，提高紫外线固化型粘合剂的内聚力，由此，在切割后拾取带有模片贴装膜的芯片时，能够减少模片贴装膜与粘合片的紫外线固化型粘合剂层在切割线处发生的混杂现象，并能够抑制拾取不良。一种带有模片贴装膜的半导体晶圆的切割方法，包括：第一贴合工序，将模片贴装膜贴合于粘合片上，其中，粘合片是通过在基膜上层叠紫外线固化型粘合剂所得到的粘合片；第二贴合工序，将半导体晶圆贴合在所述模片贴装膜的与被贴合在所述粘合片上的面相反一侧的面上；紫外线照射工序，对所述紫外线固化型粘合剂进行紫外线照射；以及切割工序，对贴合在所述粘合片上的所述模片贴装膜和所述半导体晶圆进行切割。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及将带有模片贴装膜的半导体晶圆切割成芯片状的。
技术介绍
电子部件的制造方法之一包括贴合工序，将由在绝缘基板上形成的多个电路图 案组成的电子部件集合体或晶圆贴合于粘合片上；裁切/分离工序(切割工序)，将所贴合 的晶圆或电子部件集合体裁切以形成芯片；紫外线照射工序，在该切割工序后，从粘合片侧 照射紫外线使粘合剂层的粘合力减小；拾取工序，从粘合片上拾取上述裁切所得的各芯片； 固定工序，在所拾取的芯片底面涂布接合剂后，通过该接合剂将芯片固定于引线框等。还有这样的方法，即在裁切工序中，将晶圆或电子部件集合体贴合于粘合片，再 将粘合片固定于环形框，然后裁切和分离(切割)成单个芯片。有人提出了使用兼具切割用粘合片功能和粘合剂(用于将芯片固定于引线框等) 功能的粘合片(模片贴装膜一体式片材)的方法，这种粘合片是通过在上述制造方法所使 用的粘合片上层叠模片贴装膜所得到的(参考专利文献1、专利文献幻。通过使用电子部 件制造用模片贴装膜一体式片材部件，能够省略切割后的粘合剂涂布工序。此外，较之于通过粘合剂接合芯片和引线框的方法，模片贴装膜一体式片材在粘 合剂部分的厚度控制和粘合剂的溢出抑制方面表现优良。在芯片尺寸封装、堆叠封装、系统 级封装等电子部件的制造中应用了模片贴装膜一体式片材。但是，随着半导体部件的高度集成化，芯片的尺寸增大而厚度变小，从而增加了切 割后芯片的拾取工作难度。而且，由于在切割时不仅要切割半导体晶圆还要切割模片贴装膜和粘合片的粘合 剂层，因此，模片贴装膜和粘合剂层易于在切割线处发生混杂，即使在切割后通过进行紫外 线照射以充分减小粘合强度，芯片拾取时的剥离难度仍较大，从而有可能引起拾取不良。专利文献1 JP 2006-049509A专利文献2 JP 2007-246633A
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题而完成，目的在于提供一种在进行芯片拾取时易于剥离粘合 片与模片贴装膜从而使切割后的芯片拾取操作易于进行的半导体晶圆。本专利技术的带有模片贴装膜的半导体晶圆的包括第一贴合工序，将模片 贴装膜贴合于粘合片上，其中，粘合片是通过在基膜上层叠紫外线固化型粘合剂所得到的 粘合片；第二贴合工序，将半导体晶圆贴合在上述模片贴装膜的与被贴合在上述粘合片上 的面相反一侧的面上；紫外线照射工序，对上述紫外线固化型粘合剂进行紫外线照射；以 及切割工序，对贴合在上述粘合片上的上述模片贴装膜和上述半导体晶圆进行切割。在本专利技术的中，通过在第二贴合工序和切割工序之间设置对紫外线固化 型粘合剂进行紫外线照射的紫外线照射工序，一方面能够预先减小紫外线固化型粘合剂的粘合强度，另一方面能够提高紫外线固化型粘合剂的内聚力。因此，在切割后拾取带有模片 贴装膜的芯片时，能够减少模片贴装膜与粘合片的紫外线固化型粘合剂层在切割线处发生 的混杂现象，从而能够抑制芯片拾取不良。具体实施例方式下面，对本专利技术的一实施方式的进行说明。另外，在本说明书中，单体是指该单体本身或源于单体的结构。只要不进行特别的 说明，则本说明书的份和％为质量基准。在本说明书中，(甲基)丙烯酰基是丙烯酰基和甲 基丙烯酰基的总称。(甲基)丙烯酸等含有表述“(甲基)”的化合物等同样是名称中含有 “甲基”的化合物和名称中不含“甲基”的化合物的总称。聚氨酯丙烯酸酯低聚物的官能团 数是指1个聚氨酯丙烯酸酯低聚物分子的乙烯基数量。本专利技术的一种实施方式的是用于具有模片贴装膜的半导体晶圆的切割 方法，包括第一贴合工序，将模片贴装膜贴合于粘合片上，其中，所述粘合片是通过在基膜 上层叠紫外线固化型粘合剂所得到的粘合片；第二贴合工序，将半导体晶圆贴合在上述模 片贴装膜的与被贴合在上述粘合片上的面相反一侧的面上；紫外线照射工序，对上述紫外 线固化型粘合剂进行紫外线照射；以及切割工序，对贴合在上述粘合片上的上述模片贴装 膜和上述半导体晶圆进行切割。下面，对上述的各工序进行说明。〈第一贴合工序〉本实施方式的中，包括第一贴合工序，将模片贴装膜贴合于粘合片上，其 中，粘合片是通过在基膜上层叠紫外线固化型粘合剂所得到的粘合片。(粘合片)粘合片是通过将紫外线固化型粘合剂涂布于基膜上来制造的，包括基膜和层叠于 该基膜上的紫外线固化型粘合剂层。(基膜)基膜的厚度优选为30 μ m以上，为防止拾取工序中在拉伸粘合片时粘合片发生破 裂，基膜的厚度进一步优选为60 μ m以上。此外，基膜的厚度优选为300 μ m以下，为了确保 拾取工序中拉伸粘合片时高的拉伸性能，基膜的厚度进一步优选为200 μ m以下。基膜的材料没有特别限定，可以例如为聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、乙烯-醋 酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、热塑性烯烃类弹 性体、聚乙烯、聚丙烯、聚丙烯类共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、或者通过使用金属离子使乙 烯_(甲基)丙烯酸共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸酯共聚物交联获得的 离聚物树脂。基膜中可以使用上述树脂的混合物、共聚物及多层膜等。基膜的材料优选使用离聚物树脂。离聚物树脂中，如果使用如下离聚物树脂，则能 够抑制晶须状切削屑的产生，因此优选之。该离聚物树脂是通过Na+、K+、Zn2+等金属离子使 含有乙烯单元、(甲基)丙烯酸单元及(甲基)丙烯酸烷基酯单元的共聚物交联而成的树 脂。基膜特别优选具有熔体流动速度(MFR)为0. 5-6. 0g/10分钟(JISK7210、210°C )。此外，基膜特别优选熔点为80_98°C且含有Si2+离子的膜。4基膜的成型方法没有特别限定，例如，可以列举压延成型法、T模挤出法、吹塑法及 流延法等。这些方法中，为提高基膜的厚度精度，特别优选T模挤出法。在基膜上形成紫外线固化型粘合剂层以制备粘合片的方法没有特别限定，可以列 举通过凹版涂布机、逗号式涂布机、棒式涂布机、刮刀涂布机或辊式涂布机等涂布机在基膜 上直接涂布粘合剂的方法。也可以通过凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、柔性版印刷、胶版印 刷或丝网印刷等在基膜上印刷粘合剂。这些方法中，为提高生产率和厚度精度，特别优选逗号式涂布机。(紫外线固化型粘合剂)设置于上述基膜上的紫外线固化型粘合剂可以采用现有公知的物质。紫外线固化 型粘合剂的成分及照射紫外线时的作用如下通过作为主要成分的基础聚合物来发挥粘合 强度，通过受紫外线照射的紫外线聚合引发剂，使含有不饱和键的紫外线聚合性化合物形 成三维网状结构从而实现固化(使粘合强度减小)。另外，为了提高可拾取性，上述基础聚合物优选(甲基)丙烯酸酯聚合物，上述紫 外线聚合性化合物优选具有4个以上乙烯基的聚氨酯丙烯酸酯低聚物，进一步优选含有紫 外线聚合弓I发剂和硅酮接枝聚合物。作为上述基础聚合物，可以使用一般公知的(甲基)丙烯酸酯聚合物、橡胶系粘合剂等。(甲基)丙烯酸酯聚合物是将(甲基)丙烯酸酯单体聚合获得的聚合物。此外， (甲基)丙烯酸酯聚合物可以含有除(甲基)丙烯酸酯单体外的乙烯基化合物单体。作为(甲基)丙烯酸酯的单体，可以列举，例如，丁基(甲基)丙烯酸酯、2-丁基 (甲基)丙烯酸酯、叔丁基(甲基)丙烯酸酯、戊基(甲基)丙烯酸酯、辛基(甲基)丙烯酸 酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、壬基(甲基)丙烯酸酯、癸基(甲基)丙烯酸酯、十二烷 基(甲基)丙烯酸酯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带有模片贴装膜的半导体晶圆的切割方法，其特征在于，包括：　　第一贴合工序，将模片贴装膜贴合于粘合片上，其中，粘合片是通过在基膜上层叠紫外线固化型粘合剂所得到的粘合片；　　第二贴合工序，将半导体晶圆贴合在所述模片贴装膜的与被贴合在所述粘合片上的面相反一侧的面上；　　紫外线照射工序，对所述紫外线固化型粘合剂进行紫外线照射；以及　　切割工序，对贴合在所述粘合片上的所述模片贴装膜和所述半导体晶圆进行切割。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2008-5-29 2008-1410231.一种带有模片贴装膜的半导体晶圆的切割方法，其特征在于，包括第一贴合工序，将模片贴装膜贴合于粘合片上，其中，粘合片是通过在基膜上层叠紫外 线固化型粘合剂所得到的粘合片；第二贴合工序，将半导体晶圆贴合在所述模片贴装膜的与被贴合在所述粘合片上的面 相反一侧的面上；紫外线照射工序，对所述紫外线固化型粘合剂进行紫外线...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤岳史，高津知道，
申请(专利权)人：电气化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]