【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请0001本申请是共同待审的200$年3月30日提交的美国申请 No.ll/094787、 11/094800、 11/093739、 11/094801、 11/094818、 11/093721、 11/093761、 11/094843、 11/094786、 11/094802、 11/094804和2005年 11月16日提交的美国申请No.11/280983的部分继续申请,这些申请 的全部内容都在此并入以供参考。
技术介绍
00021剩磁出现在这样的材料中,它们在放于磁场中时获得磁性 且即便在从磁场中移去时还保持磁性。剩磁磁体通常是通过将钢、铁、 镍、钴或其它软磁材料放在磁场中而产生的。磁场通常是通过让电流 通过靠近材料放置的导线线圏而产生的。由线围产生的磁场将作为磁 性构建模块的材料中的磁畴有序排列。 一旦材料磁化且磁场移去,磁 畴仍排列有序,且因此,材料保持其磁性。磁场移去后保持在材料中 的磁性称作材料的残磁或剩磁,其依施加磁场的性质和被磁化材料的 性质而定。剩磁磁体可被认为是不可逆或可逆的,依材料可去磁的容 易程度而定。永磁体的剩余磁场不能容易地通过施加磁场而去磁。在 将磁场施加在永磁体上且随后移去之后,永磁体的剩余磁场将完全恢 复。因此,永磁体是可逆磁体。不可逆磁体(也称剩磁磁体或临时永 磁体)需要采取闭合磁路(例如环)的形式,以便设定并维持剩磁场。 剩磁场是通过给不可逆磁体施加磁场而设定的。不过,剩磁场在磁场 移去之后仍保持不变。不可逆剩磁磁体可容易地通过磁场去磁。在将 磁场施加给剩磁磁体并随后移去之后,剩余磁场不会像永磁体一样恢 复 ...
【技术保护点】
一种与铁心壳、线圈以及衔铁一起使用的控制器,该控制器包括: 与线圈连接的处理器; 该处理器使磁化电流被提供给线圈,以在衔铁与铁心壳之间产生基本闭合的磁路,以便于产生不可逆剩磁力。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-3-30 11/093,721;US 2005-3-30 11/093,739;US1、一种与铁心壳、线圈以及衔铁一起使用的控制器,该控制器包括与线圈连接的处理器;该处理器使磁化电流被提供给线圈,以在衔铁与铁心壳之间产生基本闭合的磁路,以便于产生不可逆剩磁力。2、 如权利要求l所述的控制器,其中,该处理器使去磁电流被提 供给线围,以基本抵消铁心壳与衔铁之间的不可逆剩磁力。3、 如权利要求l所述的控制器,还包括状态确定口,其确定铁心 壳与衔铁之间是否存在不可逆剩磁力。4、 如权利要求3所述的控制器,其中,该状态确定口确定铁心壳 和衔铁的电感,以便于确定铁心壳和衔铁是否基本接触。5、 如权利要求4所述的控制器,其中,当铁心壳和衔铁不接触时, 铁心壳和衔铁的电感大于约100毫亨。6、 如权利要求4所述的控制器,其中,铁心壳和衔铁在铁心壳和 衔铁接触时的电感大于铁心壳和衔铁不接触时的电感。7、 如权利要求4所述的控制器,其中,该处理器使电源将电压脉 沖输送给线围,并且,该状态确定口确定电流上升时间以便于确定铁 心壳和衔《失的电感。8、 如权利要求3所述的控制器,其中,该状态确定口与霍尔效应 传感器连接,以确定不可逆剩磁力是否存在。9、 如权利要求3所述的控制器,其中,该状态确定口存储相应于 不可逆剩磁力存在的第一状态和相应于不可逆剩磁力不存在的第二状 态。10、 如权利要求9所述的控制器,其中,该控制器提供磁化电流 以产生不可逆剩磁力,该控制器再次提供磁化电流以确保不可逆剩磁 力已经产生,并且,该控制器提供去磁电流以抵消不可逆剩磁力。11、 如权利要求3所述的控制器,还包括应变计,以确定铁心壳与衔铁之间是否存在不可逆剩磁力。12、 如权利要求3所述的控制器,还包括开关,以确定铁心壳与 衔铁之间是否存在不可逆剩磁力,其中,衔铁移动以便于致动该开关。13、 如权利要求12所述的控制器,其中,该开关包括微动开关、 栽荷垫、膜垫、压电装置、力检测电阻、接近传感器以及光遮断器中 的至少一个。14、 如权利要求1所述的控制器,其中,该处理器使电源提供约 100毫秒时间的磁化电流,以便于使铁心壳和衔铁饱和。15、 如权利要求14所述的控制器,其中,铁心壳和衔铁的基本上 所有部分大致同时饱和。16、 如权利要求l所述的控制器,其中,所述电源提供约8伏特 至约42伏特的供给电压。17、 如权利要求l所述的控制器,其中,该处理器使电源提供去 磁电流以基本上抵消不可逆剩磁力,并且,因为铁心壳和衔铁在产生 不可逆剩磁力时完全饱和,去磁电流为恒定值。18、 如权利要求17所述的控制器,其中,该处理器使电源提供恒 定值为约700毫安至约800毫安的去磁电流。19、 如权利要求1所述的控制器,其中,该处理器使电源脉沖输 送约60毫秒至约120毫秒时间的去磁电流,以便于抵消不可逆剩磁力。20、 如权利要求1所述的控制器,其中,该处理器使电源提供约 5安培的磁化电流。21、 如权利要求l所述的控制器,其中,该处理器使电源提供达 到约10安培的磁化电流。22、 如权利要求l所述的控制器,其中,该处理器使电源提供达 到约2安培的去磁电流。23、 如权利要求l所述的控制器,其中,线圏为单线團,还包括 一个包括H桥的双极驱动电路,H桥由四个晶体管、四个继电器以及 晶体管和继电器总共四个的组合其中的一种构成。24、 如权利要求1所述的控制器,其中,线圏为双线圏,还包括两个由晶体管和继电器中的至少一种构成的单极驱动电路。25、 如权利要求1所述的控制器,其中,磁化电流根据线圏参数 被半校准,而去磁电流由电流调节来校准。26、 如权利要求24所述的控制器,其中,电流调节是线性调节和 脉宽调制中的一种。27、 如权利要求l所述的控制器,其中,磁化电流大于约7安培, 还包括分立晶体管驱动电路。28、 如权利要求l所述的控制器,其中,该处理器使电源提供包 括减幅的交变极性脉沖的去磁电流。29、 如权利要求1所述的控制器,其中,该处理器使电源通过施 加增大的脉宽调制电压而提供去磁电流。30、 如权利要求l所述的控制器,其中,该处理器使电源提供去 磁电流以便于接近名义释放点,并且,去磁电流是通过占空因数是基 于供给电压水平的经校准脉宽调制电压产生的。31、 如权利要求1所述的控制器,还包括硬件互锁电路,以基本 上防止电源提供意外的磁化或去磁电流。3...
【专利技术属性】
技术研发人员:SJ迪米格,GJ奥格内克,MG福伊希特,
申请(专利权)人:斯特拉泰克安全公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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