Ⅱ型能带排列的垂直结构p+-NiO/p--NiO/GaN光伏探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于Ⅱ型能带的p+‑NiO/p‑‑NiO/GaN垂直结构光伏探测器。其结构包括：n‑GaN衬底、位于衬底上方的i‑GaN吸收层、位于吸收层上方的p‑‑NiO层和p+‑NiO欧姆接触层、以及i‑GaN上设有的AlN窗口层、阳极电极和阴极电极。所述阳极电极位于所述p‑NiO层背离所述i‑GaN层一侧，所述阴极电极位于所述n‑GaN衬底层背离i‑GaN层一侧。还公开了其制备方法。本发明专利技术的器件具有自供电的能力，并且通过Ⅱ型能带的设计可以有效提高其响应度，光通过AlN宽带隙窗口层直接入射到吸收层，减少短波长吸收损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种ⅱ型能带排列的垂直结构p+-nio/p--nio/gan光伏探测器及其制备方法，属于光电探测器。

技术介绍

1、紫外线光电探测器具有广泛的应用范围，例如环境监测、火焰检测、生物分析和太空探索。由于过量的紫外照射会引发人体的诸多疾病，如白内障，皮肤癌等。因此，探测和监控紫外线，特别是近紫外波段辐射，对于人体健康十分重要。传统光电探测器通常需要外部电源，这增加了电路复杂性和成本，限制了应用场景。基于ⅱ型能带结构的自供电光伏探测器利用了内置电场可有效分离光生电子-空穴对，使器件能够在没有外部电源的情况下运行。这种固有的能力提高了分离效率，使其特别适用于远程和不同环境中的应用。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种ⅱ型能带排列的垂直结构p+-nio/p--nio/gan光伏探测器，可以有效提高光伏探测器响应度。

2、本专利技术采用的技术方案为：

3、一种ⅱ型能带排列的垂直结构p+-nio/p--nio/gan光伏探测器，其结构包括：

4、n-gan衬底；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Ⅱ型能带排列的垂直结构p+-NiO/p--NiO/GaN光伏探测器，其特征在于，其结构包括：

2.根据权利要求1所述的Ⅱ型能带排列的垂直结构p+-NiO/p--NiO/GaN光伏探测器，其特征在于，所述n-GaN衬底厚度2～3μm，Si掺杂浓度1015～1016cm-3。

3.根据权利要求1所述的Ⅱ型能带排列的垂直结构p+-NiO/p--NiO/GaN光伏探测器，其特征在于，所述i-GaN吸收层厚度为100～500nm。

4.根据权利要求1所述的Ⅱ型能带排列的垂直结构p+-NiO/p--NiO/GaN光伏探测器，其特征在于，所述p--NiO层厚...

【技术特征摘要】

1.一种ⅱ型能带排列的垂直结构p+-nio/p--nio/gan光伏探测器，其特征在于，其结构包括：

2.根据权利要求1所述的ⅱ型能带排列的垂直结构p+-nio/p--nio/gan光伏探测器，其特征在于，所述n-gan衬底厚度2～3μm，si掺杂浓度1015～1016cm-3。

3.根据权利要求1所述的ⅱ型能带排列的垂直结构p+-nio/p--nio/gan光伏探测器，其特征在于，所述i-gan吸收层厚度为100～500nm。

4.根据权利要求1所述的ⅱ型能带排列的垂直结构p+-nio/p--nio/gan光伏探测器，其特征在于，所述p--nio层厚度为30～40nm，掺杂浓度为1×1016～1×1017cm-3；所述p+-nio欧姆接触层厚度为10～20nm，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王冠，韩奉廷，王海萍，赵蓄之，孔宇，张树俊，
申请(专利权)人：南京市市政设计研究院有限责任公司，
类型：发明
国别省市：