一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池及其底电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池及其底电池的制备方法，属于太阳能电池领域，通过在硅片第二表面放置一层环状石墨舟掩盖硅片，形成掩盖的接触区和未掩盖的非接触区，非接触区上沉积一层正面掩膜层，配合清洗工艺，使硅片的第二表面与透明导电层连接时，通过接触区连接底电池的磷掺杂多晶硅层，通过非接触区连接底电池的钝化层。本发明专利技术解决了多个小孔不连续带来的电子或者空穴提取困难的问题，且透明导电层不存在被隔断的可能，接触面积更大，提升界面接触。通过该方法，既保留了钝化层带来的H钝化，又避免了激光开口带来的激光损伤，可以提高钙钛矿晶硅叠层的开压及填充，提升其转化效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池领域，具体而言，涉及一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池及其底电池的制备方法。

技术介绍

1、钙钛矿-硅基叠层太阳能电池常以钙钛矿太阳能电池作为顶电池，多晶硅电池作为底电池，通过复合层串联顶电池和底电池而得到的太阳能电池。在硅基底电池中，由于硅基底表面大量悬挂键及内部缺陷的存在，因此需要h+或含h的膜去钝化硅基表面及体内缺陷，如氧化铝、氮化硅、多晶硅等钝化膜。例如在底电池第二表面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，能有效地阻挡少子空穴复合，从而提升电池开路电压及短路电流，在底电池第一表面常用的为硼发射极制备形成pn结，再印刷金属电极。然而在钙钛矿-硅基叠层太阳能电池中，由于这些钝化膜或无法导电、或具有强吸光性，因此无法应用于钙钛矿-硅基界面处，或者导致在常规的钙钛矿-硅基叠层太阳能电池接触界面处会存在大量的复合缺陷，成为影响钙钛矿晶硅叠层电池效率的主要问题。

2、如公告号为cn214753765u的专利提供了一种钙钛矿叠层太阳能电池，所述钙钛矿电池包括透明导电层和依次设于所述透明导电层上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池的底电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的底电池的制备方法，其特征在于，所述接触区为圆形环状、矩形环状、椭圆形环状中的一种。

3.根据权利要求2所述的底电池的制备方法，其特征在于，所述接触区为矩形环状，其外边长大于内边长，内边长为0~200mm，外边长为10~210mm。

4.根据权利要求2所述的底电池的制备方法，其特征在于，所述接触区为圆形环状，其外圆半径大于内圆半径，内圆半径为0~180mm，外圆半径为10~190mm。

5.根据权利要求1所述的底电池的制备方法，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池的底电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的底电池的制备方法，其特征在于，所述接触区为圆形环状、矩形环状、椭圆形环状中的一种。

3.根据权利要求2所述的底电池的制备方法，其特征在于，所述接触区为矩形环状，其外边长大于内边长，内边长为0~200mm，外边长为10~210mm。

4.根据权利要求2所述的底电池的制备方法，其特征在于，所述接触区为圆形环状，其外圆半径大于内圆半径，内圆半径为0~180mm，外圆半径为10~190mm。

5.根据权利要求1所述的底电池的制备方法，其特征在于，所述非接触区面积占所述硅片第二表面面积的5%~80%。

6.根据权利要求1所述的底电池的制备方法，其特征在于，所述第二表面掩膜层和所述第一表面掩膜层由alox、siox、sinx中的一种或者多种制成，厚度为10~100nm。

7.根据权利要求1所述的底电池的制备方法，其特征在于，所述步骤六具体为：采用5~20wt%浓度的hf对所述接触区的钝化层进行清洗去除，同时去...

【专利技术属性】
技术研发人员：田梦媛，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：