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本发明公开了一种基于Ⅱ型能带的p+‑NiO/p‑‑NiO/GaN垂直结构光伏探测器。其结构包括：n‑GaN衬底、位于衬底上方的i‑GaN吸收层、位于吸收层上方的p‑‑NiO层和p+‑NiO欧姆接触层、以及i‑GaN上设有的AlN窗口层、阳极...
该专利属于南京市市政设计研究院有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京市市政设计研究院有限责任公司授权不得商用。

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