【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体衬底，特别是涉及一种半导体衬底、外延片和半导体器件。
技术介绍
1、碳化硅(sic)半导体材料，因其具有宽禁带、高临界电场强度、高电子饱和迁移速率、高热导率等物理特性，在高压、大功率、高频以及耐高温电子功率器件领域具有广阔的应用前景。sic电子功率器件已经逐步应用于新能源汽车、光伏发电、智能电网以及有轨电车等领域的电力转换模块。随着sic肖特基二极管(schottkybarrierdiode，sbd)以及金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)功率器件的商业化和迭代发展，sic电子功率器件正在成为高压电子功率器件领域的主导。
2、相比于si电子功率器件，较高的制造成本是sic电子功率器件在终端应用领域渗透率进一步提升的主要障碍。sic电子功率器件的制造成本中60％以上来源于sic衬底和外延。因此不断优化生产制造工艺降低sic衬底和外延生产成本是提升sic电子功率器件市场竞争力的关键因素。现有sic衬底一...
【技术保护点】
1.一种半导体衬底，其特征在于，所述半导体衬底包括碳化硅基底层，设置于所述碳化硅基底层的碳面上的过渡层，以及设置于所述过渡层的远离所述碳化硅基底层一侧的应力调控层；
2.如权利要求1所述的半导体衬底，其特征在于，所述二维材料层包括石墨烯层。
3.如权利要求1或2所述的半导体衬底，其特征在于，所述过渡层的厚度为1nm-1000nm。
4.如权利要求1-3任一项所述的半导体衬底，其特征在于，所述应力调控层的厚度为1μm-10μm。
5.如权利要求1-4任一项所述的半导体衬底，其特征在于，所述碳化硅基底层的材料包括4H-SiC
【技术特征摘要】
1.一种半导体衬底，其特征在于，所述半导体衬底包括碳化硅基底层，设置于所述碳化硅基底层的碳面上的过渡层，以及设置于所述过渡层的远离所述碳化硅基底层一侧的应力调控层；
2.如权利要求1所述的半导体衬底，其特征在于，所述二维材料层包括石墨烯层。
3.如权利要求1或2所述的半导体衬底，其特征在于，所述过渡层的厚度为1nm-1000nm。
4.如权利要求1-3任一项所述的半导体衬底，其特征在于，所述应力调控层的厚度为1μm-10μm。
5.如权利要求1-4任一项所述的半导体衬底，其特征在于，所述碳化硅基底层的材料包括4h-sic或6h-sic。
6.如权利要求1-5任一项所述的半导体衬底，其特征在于，所述碳化硅基底层的厚度为200μm-1000μm。
7.如权利要求1-6任一项所述的半导体衬底，其特征在于，所述应力调控层与所述碳化硅基底层的厚度之比在(0.001-0.1)∶1范围内。
8.如权利要求1-7任一项所述的半导体衬底，其特征在于，所述碳化硅基底层的尺寸为6英寸-18英寸。
9.如权利要求1-8任一项所述的半导体衬底，其特征在于，在垂直于所述半导体衬底厚度方向的横向方向上，所述过渡层和所述应力调控层与所述碳化硅基底层的形状尺寸一致，且完全覆盖所述碳化硅基底层。
10.如权利要求1-9任一项所述的半导体衬底，其特征在于，所述半导体衬底...
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