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本申请实施例提供一种半导体衬底、外延片和半导体器件，所述半导体衬底包括碳化硅基底层，设置于所述碳化硅基底层的碳面上的过渡层，以及设置于所述过渡层的远离所述碳化硅基底层一侧的应力调控层；所述过渡层包括二维材料层，且所述应力调控层包括3C‑Si...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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