转移基板、发光基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本公开的实施例提供了一种转移基板、发光基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，以提高发光基板的生产效率，从而提高显示装置的生产效率。该阵列基板包括第一基板、挡墙和第一封装层。挡墙设置于第一基板的一侧，且与第一基板连接。挡墙围设成具有两个开口的腔体，两个开口相对设置，且一个开口被第一基板封挡。腔体用于拾取发光器件。第一封装层设置于第一基板的一侧，且位于腔体内。在发光器件的挤压的作用下，第一封装层能够产生塑性形变，以填充腔体内的空隙。上述转移基板用于制备发光基板。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及显示，尤其涉及一种转移基板、发光基板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

1、随着发光二极管技术的发展，采用亚毫米(micro)量级甚至微米(mini)量级的发光二极管(light emitting diode，简称led)的显示装置得到了广泛的应用。由此，不仅可以使利用micro led或mini led的显示装置的画面对比度达到有机发光二极管(organiclight emitting diode，简称oled)显示装置的水平，还可以使显示装置保留液晶显示的低成本、高亮度和高可靠性等技术优势，进而提升画面的显示效果，为用户提供更优质的视觉体验。其中，如何提高显示装置的生产效率是目前需要解决的问题。

技术实现思路

1、本公开的实施例的提供一种转移基板、发光基板及其制备方法、显示装置，以提高发光基板的生产效率，从而提高显示装置的生产效率。

2、为达到上述目的，本公开的实施例提供了如下技术方案：

3、一方面，提供一种转移基板。所述转移基板用于转移发光器件，所述转移基板包括第一基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种转移基板，其特征在于，用于转移发光器件，所述转移基板包括：

2.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的转移基板，其特征在于，所述第一量子点膜和所述第二量子点膜的厚度相等；所述第三量子点膜的厚度等于所述第一量子点膜的厚度与所述透反膜的厚度之和。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的转移基板，其特征在于，所述第一封装层的折射率大于或等于1.5。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的转移基板，其特征在于，所述第一基板包括第一衬底和第二...

【技术特征摘要】

1.一种转移基板，其特征在于，用于转移发光器件，所述转移基板包括：

2.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求3所述的转移基板，其特征在于，所述第一量子点膜和所述第二量子点膜的厚度相等；所述第三量子点膜的厚度等于所述第一量子点膜的厚度与所述透反膜的厚度之和。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的转移基板，其特征在于，所述第一封装层的折射率大于或等于1.5。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的转移基板，其特征在于，所述第一基板包括第一衬底和第二衬底，所述第一衬底为刚性衬底，所述第二衬底为柔性衬底，且所述第二衬底位于所述第一衬底和所述挡墙之间。

7.一种发光基板，其特征在于，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：李树磊，贾苗苗，马媛媛，康昭，黄华，谢昌翰，王学勇，王峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：