一种MEMS惯性器件及其键合工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种MEMS惯性器件及其键合工艺，涉及惯性器件技术领域，该器件通过设置包括自下而上依次键合的硅基底、器件层以及上盖板，在器件层与上盖板之间键合有金属走线层，上盖板下侧具有上盖板键合环，金属走线层与上盖板通过上盖板键合环进行键合，且金属走线层上还键合有多个焊盘。本发明专利技术能够降低MEMS惯性器件的工艺难度，减小MEMS惯性器件的体积，降低MEMS惯性器件的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及惯性器件，特别涉及一种mems惯性器件及其键合工艺。

技术介绍

1、mems惯性器件,可广泛应用于惯性导航、无人机、自动驾驶、智能制造及高端工业领域。现有技术中，mems惯性器件的金属走线均是在硅基底上完成，在硅基底上生长金属走线层，从而实现惯性器件器件层的电信号通过该金属走线层传入asic电路，最终实现mems惯性器件检测。现有的惯性器件结构中金属走线均是在硅基底上完成，工艺流程较为复杂，增加工艺难度，降低工艺良率；成本高，器件面积大，占用空间高，不利于小型化。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种mems惯性器件及其键合工艺，旨在能够降低mems惯性器件的工艺难度、减小mems惯性器件的体积、降低mems惯性器件的成本。具体技术方案如下：

2、一种mems惯性器件，包括自下而上依次键合的硅基底、器件层以及上盖板，在所述器件层与所述上盖板之间键合有金属走线层，所述上盖板下侧具有上盖板键合环，所述金属走线层与所述上盖板通过所述上盖板键合环进行键合，且所述金属走线层上还键合有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MEMS惯性器件，包括自下而上依次键合的硅基底、器件层以及上盖板，其特征在于，在所述器件层与所述上盖板之间键合有金属走线层，所述上盖板下侧具有上盖板键合环，所述金属走线层与所述上盖板通过所述上盖板键合环进行键合，且所述金属走线层上还键合有多个焊盘。

2.根据权利要求1所述的MEMS惯性器件，其特征在于，所述硅基底与所述器件层通过焊料环键合。

3.根据权利要求2所述的MEMS惯性器件，其特征在于，所述金属走线层包括金属走线层主体以及与金属走线层主体电连接的多个连接盘，每个连接盘分别电连接所述焊盘，所述上盖板与所述器件层通过所述上盖板键合环与所述金属走线层主体...

【技术特征摘要】

1.一种mems惯性器件，包括自下而上依次键合的硅基底、器件层以及上盖板，其特征在于，在所述器件层与所述上盖板之间键合有金属走线层，所述上盖板下侧具有上盖板键合环，所述金属走线层与所述上盖板通过所述上盖板键合环进行键合，且所述金属走线层上还键合有多个焊盘。

2.根据权利要求1所述的mems惯性器件，其特征在于，所述硅基底与所述器件层通过焊料环键合。

3.根据权利要求2所述的mems惯性器件，其特征在于，所述金属走线层包括金属走线层主体以及与金属走线层主体电连接的多个连接盘，每个连接盘分别电连接所述焊盘，所述上盖板与所述器件层通过所述上盖板键合环与所述金属走线层主体进行键合。

4.根据权利要求2所述的mems惯性器件，其特征在于，所述器件层包括质量块、动梳齿锚柱、动梳齿、定梳齿、梁结构；所述硅基底与所述动梳齿锚柱通过所述焊料环键合；所述硅基底上刻蚀有定梳齿锚柱，所述质量块通过所述定梳齿锚柱承载在所述硅基底的中部上。

5.根据权利要求4所述的mems惯性器件，其特征在于，所述金属走线层主体位于所述动梳齿锚柱和所述梁结构上。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晟，蔡光艳，魏晓莉，蔡喜元，罗戴钟，丁铮，徐佳，
申请(专利权)人：武汉衡惯科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：