一种CZ法长晶中籽晶角度倾斜的快速检测装置制造方法及图纸

本技术公开了单晶硅技术领域内的一种CZ法长晶中籽晶角度倾斜的快速检测装置，包括：底座；数码放大镜，通过支架悬吊于底座上，数码放大镜的视角朝向正下方；夹持装置，设置于数码放大镜下方，夹持装置用以夹持待测籽晶；第一减速电机，安装于底座，夹持装置与减速电机的转轴传动连接，第一减速电机用以驱动夹持装置转动。该快速检测装置将籽晶细晶处的倾斜在数码放大镜镜头下转化为左右偏移量，通过左右偏移量定量测量可标定出籽晶细晶处的倾斜程度，从而快速判断产品晶向偏离风险，实现尽早介入干预，避免更多损失。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及单晶硅，特别涉及一种cz法长晶中籽晶角度倾斜的快速检测装置。

技术介绍

1、单晶硅的两种生长方法是cz法和fz法。其中，cz法是单晶硅生产中最主要的一种生长方法，也称为克罗默传输法。其原理是将高纯度硅材料先熔化成小圆柱状的铸锭，然后插入一根控制的硼掺杂石英棒。在铸锭和石英棒之间的界面处，形成了一个半导体材料的马赫点(melt-meniscus)，利用这个马赫点逐渐拉长铸锭和棒之间的距离，由此生长出单晶硅。cz法可以生产直径大尺寸的单晶硅。

2、cz法的优点在于：生长速度快，可以生长大尺寸单晶硅，生产工艺成熟；缺点在于：应力分布不均匀，因此容易产生晶体缺陷。

3、单晶晶向是cz法单晶生长中的一项基本控制参数，引晶过程籽晶倾斜是生长出的单晶晶向偏离的主要原因之一。因此，如何快速判断籽晶是否歪斜是避免单晶晶向偏离的重要措施之一。

技术实现思路

1、本申请通过提供一种cz法长晶中籽晶角度倾斜的快速检测装置，解决了现有技术中如何快速判断籽晶是否歪斜的问题，通过快速识别引晶后籽晶细晶处是本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CZ法长晶中籽晶角度倾斜的快速检测装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的快速检测装置，其特征在于：所述夹持装置安装于所述第一减速电机前端，所述第一减速电机通过位移机构安装于所述底座，所述第一减速电机可在所述底座上水平移动。

3.根据权利要求2所述的快速检测装置，其特征在于：所述位移机构包括安装板、连接板、滚珠丝杠、滚珠螺母、第二减速电机；所述底座开设有横向的安装槽，所述安装槽上端面开设有通槽，所述滚珠丝杠安装于所述安装槽内，所述滚珠螺母套设于所述滚珠丝杠，所述滚珠螺母能在所述滚珠丝杠上轴向滑移，滚珠螺母在侧壁设置有连接板，所述连接板延伸至所述通...

【技术特征摘要】

1.一种cz法长晶中籽晶角度倾斜的快速检测装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的快速检测装置，其特征在于：所述夹持装置安装于所述第一减速电机前端，所述第一减速电机通过位移机构安装于所述底座，所述第一减速电机可在所述底座上水平移动。

3.根据权利要求2所述的快速检测装置，其特征在于：所述位移机构包括安装板、连接板、滚珠丝杠、滚珠螺母、第二减速电机；所述底座开设有横向的安装槽，所述安装槽上端面开设有通槽，所述滚珠丝杠安装于所述安装槽内，所述滚珠螺母套设于所述滚珠丝杠，所述滚珠螺母能在所述滚珠丝杠上轴向滑移，滚珠螺母在侧壁设置有连接板，所述连接板延伸至所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周小勇，邹建，张俊，陶飞，
申请(专利权)人：扬州合晶科技有限公司，
类型：新型
国别省市：