光致产酸剂、抗蚀剂组合物及图案形成方法技术

本申请提供了一种光致产酸剂、抗蚀剂组合物及图案形成方法，涉及光刻材料技术领域。该光致产酸剂具有结构式(1)所表示的通式，  (1)结构式(1)中，a为1或2；X为‑CO‑，与其两侧形成五元环的二甲酰亚胺，或者X为‑CH2CO‑，与其两侧形成六元环的二甲酰亚胺；Y与其右侧的碳原子一同形成C6~C10单环式饱和脂肪族烃环、C6~C14桥环、C6~14芳香环。该光致产酸剂在抗蚀剂组合物中能够提升抗蚀剂膜图案的LER性能，改善抗蚀剂膜的显影缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光刻材料，尤其涉及一种光致产酸剂、抗蚀剂组合物及图案形成方法。

技术介绍

1、光刻技术随着集成电路的持续发展而迅速进步。从g线(436 nm)和i线(365 nm)，到深紫外(duv)的248 nm、193 nm准分子激光，再到极紫外(euv)，曝光光源的波长逐渐变短，与此同时，这也提升了对具有更高感度和分辨率的抗蚀剂组合物的关键需求。目前晶圆厂主导的工艺是使用193 nm及以下波长的光波进行光刻(arf光刻)，可分为193 nm干式光刻和193 nm浸没式光刻。

2、arf光刻技术节点由于形成的图像细小，通过利用arf准分子激光等短波长的放射线、或使用于利用液状介质充满曝光装置的透镜与抗蚀剂膜之间的空间的状态下进行曝光的液浸曝光法(液体浸没式微影(liquid immersion lithography))来推进图案的微细化。抗蚀剂组合物中的光致产酸剂尤为重要，由于为大多数光致产酸剂是离子型化合物并且可溶性较差，不能均匀地分布在抗蚀剂膜中，导致抗蚀剂膜图案的线边缘粗糙度(line edgeroughness，ler)将受到酸扩散距离本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光致产酸剂，其特征在于，包括：所述光致产酸剂具有结构式(1)所表示的通式，

2.根据权利要求1所述的光致产酸剂，其特征在于，所述结构式(1)中，X为-CO-，与其两侧形成五元环二甲酰亚胺，Y与其右侧的两个碳原子一同形成C6~C8单环式饱和脂肪族烃环、C6~C10桥环，或者，X为-CH2CO-，与其两侧形成六元环二甲酰亚胺，Y与其右侧的三个碳原子一同形成C6~C10桥环、萘环、蒽环。

3.根据权利要求2所述的光致产酸剂，其特征在于所述光致产酸剂选自以下结构中的一种或多种：

4.根据权利要求1~3任一项所述的光致产酸剂，其特征在于，所述结构式(1)...

【技术特征摘要】

1.一种光致产酸剂，其特征在于，包括：所述光致产酸剂具有结构式(1)所表示的通式，

2.根据权利要求1所述的光致产酸剂，其特征在于，所述结构式(1)中，x为-co-，与其两侧形成五元环二甲酰亚胺，y与其右侧的两个碳原子一同形成c6~c8单环式饱和脂肪族烃环、c6~c10桥环，或者，x为-ch2co-，与其两侧形成六元环二甲酰亚胺，y与其右侧的三个碳原子一同形成c6~c10桥环、萘环、蒽环。

3.根据权利要求2所述的光致产酸剂，其特征在于所述光致产酸剂选自以下结构中的一种或多种：

4.根据权利要求1~3任一项所述的光致产酸剂，其特征在于，所述结构式(1)中，a为1。

5.根据权利要求4所述的光致产酸剂，其特征在于，所述光致产酸剂选自以下结构中的一种或多种：

6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐枫，苏敏光，王鹏，刘敏，
申请(专利权)人：湖北鼎龙芯盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：