【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光刻胶领域,具体而言,涉及一种含氟树脂及浸没式光刻胶。
技术介绍
1、光刻胶(又称抗蚀剂组合物)是制造半导体芯片时必不可少的原料,在制备芯片时,会将光刻胶涂覆在基材的表面并固化成光刻胶膜,然后经过特定波长的光曝光后,膜上会光刻出预设的图案,随后经过显影、刻蚀等步骤,膜上的图案会转印至芯片的表面形成集成电路。在制备芯片时,光的波长越短,制得的芯片性能越好。目前在制备中高端芯片时,会使用波长在193nm左右的光作为光源,采用浸没式的方式进行光刻。
2、在浸没式光刻技术中,涂覆在半导体基材上的光刻胶在固化成膜后,需要浸没在水中并在arf的激发波长(即中心波长为193.368nm)下进行曝光,这就需要光刻胶中的有效成分不能溶于水,而且在与水接触后的化学性能也不发生变化,这种光刻胶可以被称为浸没式光刻胶(或arf光刻胶)。
3、目前的浸没式光刻胶的组分中加入含氟树脂,在光刻胶旋涂时,含氟树脂会聚集在膜的上表面形成植入式阻挡层(embedded barrier layer,ebl),ebl可以阻止光刻胶的有效成分溶
...【技术保护点】
1.一种含氟树脂,其特征在于,其具有封端基团,且所述封端基团的结构通式为:其中Rf1选自氟、三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、六氟异丙基、全氟丁基中的至少一种,n为不小于1的正整数:且所述含氟树脂含有下述所示的第一重复单元:其中R1选自氢原子、C1~C5的烷基、内脂基团中的任一种;Rf2为含氟基团。
2.根据权利要求1所述的含氟树脂,其特征在于,Rf2包括碳原子数为1~30的氟代烃基、含有六氟异丙醇烷基的官能团中的任一种。
3.根据权利要求1所述的含氟树脂,其特征在于,Rf2为C1~C12的氟代烷基中的任一种。
4.根据权利要求1所述的
...【技术特征摘要】
1.一种含氟树脂,其特征在于,其具有封端基团,且所述封端基团的结构通式为:其中rf1选自氟、三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、六氟异丙基、全氟丁基中的至少一种,n为不小于1的正整数:且所述含氟树脂含有下述所示的第一重复单元:其中r1选自氢原子、c1~c5的烷基、内脂基团中的任一种;rf2为含氟基团。
2.根据权利要求1所述的含氟树脂,其特征在于,rf2包括碳原子数为1~30的氟代烃基、含有六氟异丙醇烷基的官能团中的任一种。
3.根据权利要求1所述的含氟树脂,其特征在于,rf2为c1~c12的氟代烷基中的任一种。
4.根据权利要求1所述的含氟树脂,其特征在于,所述含氟树脂还含有下述所示的...
【专利技术属性】
技术研发人员:张斌,栾力冰,关琬婷,
申请(专利权)人:湖北鼎龙芯盛科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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