【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光致抗蚀剂,具体涉及一种光致抗蚀剂中的含氟树脂粉末及其制备方法和应用。
技术介绍
1、光刻常用于制造各种电子器件如半导体器件和液晶器件中的精细结构。为了实现这样的精细图案,除了通过抗蚀剂的结构、组成调整实现高分辨率、高灵敏度之外,还可以通过缩短所使用曝光装置的光源的波长、增大透镜的数值孔径等实现。浸没式曝光,晶圆上透镜与光致抗蚀剂膜之间的部分充入折射率大于空气的溶剂(液体),这种浸没式光刻,即使使用具有相同曝光波长的光源,也可以实现与使用具有更短波长的光源或使用高na透镜时相同的高分辨率。目前在制备中高端芯片时,会使用波长在193nm左右的光作为光源,采用浸没式的方式进行光刻。
2、在浸液曝光中,浸液介质在浸液曝光期间接触抗蚀剂膜和透镜,抗蚀剂中所含的物质溶出到浸渍介质中,抗蚀剂膜劣化、性能降低,污染透镜表面,对光刻特性造成不良影响。目前的浸没式光致抗蚀剂的组分中加入含氟树脂,由于氟原子的强电负性、低极化率,导致arf用光致抗蚀剂含氟树脂以其低表面能的特点,在浸没式光致抗蚀剂中作为添加剂加入到配方中,并能够自分
...【技术保护点】
1.一种光致抗蚀剂组合物,其特征在于,所述光致抗蚀剂组合物包括(A)碱溶性树脂、(B)光致产酸剂、(C)酸扩散控制剂、(D)含氟树脂粉末和(E)溶剂,所述(D)含氟树脂粉末中,残留单体的含量为200-1000 ppm,残留溶剂为10-500ppm,所述含氟树脂粉末具有以下的粒径分布:D10=0.1-10μm,D50=0.1-50μm,D90=0.1-80μm;所述含氟树脂粉末中的树脂是由单体M1,单体M2和单体M3反应得到的;所述单体M1具有式I所示结构;所述单体M2具有式II所示结构;所述单体M3具有式III所示结构;
2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂
...【技术特征摘要】
1.一种光致抗蚀剂组合物,其特征在于,所述光致抗蚀剂组合物包括(a)碱溶性树脂、(b)光致产酸剂、(c)酸扩散控制剂、(d)含氟树脂粉末和(e)溶剂,所述(d)含氟树脂粉末中,残留单体的含量为200-1000 ppm,残留溶剂为10-500ppm,所述含氟树脂粉末具有以下的粒径分布:d10=0.1-10μm,d50=0.1-50μm,d90=0.1-80μm;所述含氟树脂粉末中的树脂是由单体m1,单体m2和单体m3反应得到的;所述单体m1具有式i所示结构;所述单体m2具有式ii所示结构;所述单体m3具有式iii所示结构;
2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物,其特征在于,以100重量份的(a)碱溶性树脂计,所述光致抗蚀剂包括0.1~30重量份的(b)光致产酸剂、0.1~30重量份的(c)酸扩散控制剂和0.5~30重量份的(d)含氟树脂粉末。
3.一种如权利要求1或2中的含氟树脂粉末的制备方法,其特征在于,包括含氟树脂的合成步骤和含氟树脂的纯化步骤;
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述沉降溶剂选自戊烷、环戊烷、己烷、环己烷、庚烷、石油醚、甲苯、乙酸乙酯、丙酮、乙腈、二氯甲烷...
【专利技术属性】
技术研发人员:张公平,苏敏光,游怀,陈相见,刘敏,
申请(专利权)人:湖北鼎龙芯盛科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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