一种硅片表面污染清洗装置制造方法及图纸

技术编号:46562403 阅读:0 留言:0更新日期:2025-10-10 21:14
本技术涉及清洗装置领域,尤其涉及一种硅片表面污染清洗装置,包括有底板;底板的上端左部固接有清洗箱,清洗箱的上端为开口状。本技术通过将圆形的硅片从上向下穿过第二槽体并放置在两个托块的上端,使得圆形硅片的下端被两个托块的上端支撑,同时圆形的硅片的前后两端会与第二槽体内壁的前后两端贴合,实现对圆形硅片的限位,然后将安装块放置在第一槽体的内壁,此时固定块的下端和第一U型板的下端内壁贴合,就可以将一排安装块放置在一排第一槽体的内壁,底板内本身设有可以浸没圆形硅片的清洗液,然后开启搅拌组件可以对清洗箱内的水溶液进行搅拌,开启换能器可以对浸没在清洗箱内的圆形硅片进行超声波清洗。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于清洗装置领域,具体涉及一种硅片表面污染清洗装置


技术介绍

1、在半导体制造领域,硅片作为集成电路的核心材料,其表面洁净度对后续工艺及产品性能具有至关重要的影响,然而,在硅片的加工、运输和存储过程中,不可避免地会接触到各种污染物,如尘埃颗粒、金属离子、有机物残留以及自然氧化层等,这些污染物若未能有效清除,将会导致电路短路、漏电流增加、可靠性降低等一系列问题。

2、传统的硅片表面污染清洗方法主要包括湿式清洗和干式清洗两大类,湿式清洗通常采用化学溶液,如去离子水、氢氟酸、氢氧化钠等,结合超声波或兆声波技术,通过化学反应和物理冲刷作用去除硅片表面的污染物,干式清洗则主要利用气体或等离子体等物理手段,通过轰击硅片表面或产生化学反应来去除污染物,干式清洗虽然环境友好,但在去除某些顽固污染物方面效果不如湿式清洗显著,现有技术中的硅片表面污染清洗装置在使用时,通常难以对成排放置的硅片进行批量快速清洗,不方便对成排放置的硅片快速干燥,有待进一步的改善。

3、因此,提出一种硅片表面污染清洗装置,现有技术中的硅片表面污染清洗装置在使用时,通常本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅片表面污染清洗装置,包括有底板(1);其特征在于:底板(1)的上端左部固接有清洗箱(2),清洗箱(2)的上端为开口状,清洗箱(2)的上端开设有两个关于清洗箱(2)的中心处相互对称的凹槽(3),两个凹槽(3)的内壁共同放置有第一U型板(4),第一U型板(4)的开口向上,清洗箱(2)内壁的左右两端均设置有搅拌组件(5),底板(1)的上端右部设置有干燥组件(6),第一U型板(4)的下端贯穿开设有均匀分布的第一槽体(401),第一槽体(401)的内壁滑动设置有安装块(406),安装块(406)的上端贯穿开设有第二槽体(407),安装块(406)的前后两端均呈倒U形,安装块(406)两个...

【技术特征摘要】

1.一种硅片表面污染清洗装置,包括有底板(1);其特征在于:底板(1)的上端左部固接有清洗箱(2),清洗箱(2)的上端为开口状,清洗箱(2)的上端开设有两个关于清洗箱(2)的中心处相互对称的凹槽(3),两个凹槽(3)的内壁共同放置有第一u型板(4),第一u型板(4)的开口向上,清洗箱(2)内壁的左右两端均设置有搅拌组件(5),底板(1)的上端右部设置有干燥组件(6),第一u型板(4)的下端贯穿开设有均匀分布的第一槽体(401),第一槽体(401)的内壁滑动设置有安装块(406),安装块(406)的上端贯穿开设有第二槽体(407),安装块(406)的前后两端均呈倒u形,安装块(406)两个端部的下端均固接有托块(409),安装块(406)的前后两端均贯穿开设有第三槽体(408),第三槽体(408)的内壁呈圆弧形,托块(409)靠近第三槽体(408)的中心的一端呈弧形,安装块(406)的左右两端上部均固接有固定块(410),固定块(410)的前端贯穿开设有第二通孔(411),第二通孔(411)的内壁放置有长柱(412),底板(1)的左右两端均固接有均匀分布的换能器(7)。

2.根据权利要求1所述的一种硅片表面污染清洗装置,其特征在于:第一u型板(4)的上端中央前后边缘处均贯穿开设有第一通孔(402),第一u型板(4)的内壁靠近前后边缘处均放置有第一挡块(403),第一挡块(403)的下端固接有第一插柱(404),第一插柱(404)的侧壁和第一通孔(402)的内壁贴合,第一挡块(403)的上端固接有第一把手(405)。

3.根据权利要求1所述的一种硅片表面污染清洗装置,其特征在于:搅拌组件(5)包括有承载块(501)、电机(502)、转动柱(503)和搅拌板(504);清洗箱(2)内壁的左右两端均固接有两个承载块(501),承载块(501)的上端固接有电机(502...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑松余江湖刘君
申请(专利权)人:安徽晶天新能源科技有限责任公司
类型:新型
国别省市:

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