一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液及其制备方法、蚀刻工艺技术

本发明专利技术提供一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液及其制备方法、蚀刻工艺，涉及半导体蚀刻技术领域。一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液，按重量百分比计，包括以下组份：硫酸2~10%，硝酸2~10%，甲磺酸0.01~4%，余量为水；其中，硫酸、硝酸和甲磺酸纯度均为电子级，水为超纯水。本发明专利技术的蚀刻液能够有效控制CD loss在0.15~0.23μm，蚀刻后ITO图案侧壁角度为50°~67°，且ITO层对相邻金属层Mo或Mo‑Al‑Mo无腐蚀性，能满足不同ITO膜厚的蚀刻效果；本发明专利技术的制备方法使蚀刻液的有效期延长至12个月以上。本发明专利技术的蚀刻工艺首次提出分阶蚀刻+氧化还原电位动态（ORP）控制+EIS相位角反馈终止+蒸汽退火的全链工艺，能够精准控制蚀刻速率，协同实现蚀刻工艺的高速‑高精度‑低损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体蚀刻，尤其涉及一种用于ito透明导电膜的蚀刻液及其制备方法、蚀刻工艺。

技术介绍

1、氧化铟锡（ito）蚀刻液是显示技术中的关键材料，主要用于制触摸屏、lcd和oled等ito透明导电膜，其通过化学反应去除不需要的ito层，从而形成精确的电路图案或透明导电区域。随着显示技术中金属线路的高精细化发展，array制程工艺对线宽/线距要求越来越小，对适宜的键尺寸损失（cd loss）、侧蚀小、蚀刻性能稳定，且长寿命的ito蚀刻液的需求越来越紧迫。

2、而现有技术中的湿法ito蚀刻液，主要有王水体系、草酸体系、三氯化铁体系和氢碘酸体系等。其中王水体系蚀刻液成本低，但所用酸含量较高，蚀刻反应剧烈，蚀刻角度难以控制，对ito薄膜的蚀刻效果不理想。草酸体系的蚀刻方向性较差，容易导致侧向腐蚀（侧蚀），难以实现高精细线宽/线距（如微米级以下）的图形化要求，影响cd loss的控制；草酸对下层金属（如cu、mo等）的腐蚀抑制能力有限，可能引发金属线宽损失或界面腐蚀，尤其在多层堆叠结构中风险更高；草酸体系在蚀刻过程中可能产生气体（如co2），气泡本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液，其特征在于，按重量百分比计，包括以下组份：

2.根据权利要求1所述的ITO透明导电膜的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液按重量百分比计，包括以下组份：

3.一种制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1~2任一项所述的ITO透明导电膜的蚀刻液，包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤S400中，将硫酸分3个阶段添加，每阶段间隔8~12min，添加量依次为20~30%，40~50%和余量，添加速率依次为0.5~1L/min、1~2L/min、0.3~0.8L/min。

5.根据权利要...

【技术特征摘要】

1.一种用于ito透明导电膜的蚀刻液，其特征在于，按重量百分比计，包括以下组份：

2.根据权利要求1所述的ito透明导电膜的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液按重量百分比计，包括以下组份：

3.一种制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1~2任一项所述的ito透明导电膜的蚀刻液，包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤s400中，将硫酸分3个阶段添加，每阶段间隔8~12min，添加量依次为20~30%，40~50%和余量，添加速率依次为0.5~1l/min、1~2l/min、0.3~0.8l/min。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在硫酸的3个所述添加阶段同步注入纳米二氧化硅作为分散剂，所述分散剂与硫酸的质量比为0.03~0.1:100，所述分散剂的粒径为50~100nm，所述分散剂经等离子活化处理，功率280~320w，处理时间4~6min。

6.一种用于ito透明导电膜的蚀刻工艺，其特征在于，应用如权利要求1-5任一项所述ito透明导电膜层蚀刻液进行蚀刻，包括以下...

【专利技术属性】
技术研发人员：李瑞，邵勇，张秋莲，胡生望，朱才彬，王绍国，
申请(专利权)人：四川江化微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：

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