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本发明提供一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液及其制备方法、蚀刻工艺，涉及半导体蚀刻技术领域。一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液，按重量百分比计，包括以下组份：硫酸2~10%，硝酸2~10%，甲磺酸0.01~4%，余量为水；其中，硫酸、硝酸和甲磺...
该专利属于四川江化微电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川江化微电子材料有限公司授权不得商用。

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