一种盐酸型P-ITO蚀刻液及其制备方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种盐酸型P‑ITO蚀刻液及其制备方法及其应用，涉及液晶面板蚀刻液技术领域，盐酸型P‑ITO蚀刻液包括以下质量百分数的成分：20～24％第一无机酸水溶液、5～7％第二无机酸、0.1～0.5％金属缓蚀剂、0.001～0.1％无机氯化物，余量为水；第一无机酸至少包括盐酸；所述第二无机酸至少包括醋酸；第一无机酸水溶液中第一无机酸的浓度≥40wt％。成本较低，蚀刻反应温和，蚀刻均匀，无明显边缘锯齿，无ITO结晶残留，不损伤金属Mo，不含磷等污染元素，绿色环保。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于液晶面板蚀刻液，尤其涉及一种盐酸型p-ito蚀刻液及其制备方法及其应用。

技术介绍

1、ito(indium tin oxide，氧化铟锡)是一种无机复合材料，通常由90％的氧化铟(in2o3)和10％的氧化锡(sno2)组成。ito薄膜是一种n型半导体材料，具有高导电率、可见光高透过率、高机械硬度和高化学稳定性。这种透明且导电的特性是其他材料难以同时具备的，使得ito成为透明导电膜领域的首选材料，广泛应用于各种需要透明电极的光电设备中，例如显示屏(lcd/oled)、触控面板(touch panel)和太阳能电池等。

2、随着显示器件行业的飞速发展，对ito薄膜的产品性能特性提出了新的要求。不同性能特性的ito薄膜也需要相适配地ito蚀刻液，这对ito蚀刻液的研究开发也提出了新的挑战。

3、针对市场上广泛应用的α-ito、p-ito、cu/ito，以及ito-ag-ito等薄膜基板，现有技术中常用的ito蚀刻液，主要有王水体系、草酸体系、磺酸体系等。其中，王水体系蚀刻液是由浓盐酸和浓硝酸按一定比例混合而成的强酸溶液，具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种盐酸型P-ITO蚀刻液，其特征在于，包括以下质量百分数的成分：

2.根据权利要求1所述的盐酸型P-ITO蚀刻液，其特征在于，所述金属缓蚀剂为苯并三氮唑、5-氨基四氮唑、1,2,4-三唑、苯并吡咯、3-氨基-1,2,4-三氮唑、3,5-二氨基-1,2,4-三氮唑、羟甲基苯并三氮唑中至少一种。

3.根据权利要求1所述的盐酸型P-ITO蚀刻液，其特征在于，所述无机氯化物为氯化铁、氯化铵、氯化钾中至少一种。

4.根据权利要求1所述的盐酸型P-ITO蚀刻液，其特征在于，所述第一无机酸还包括硝酸和/或硫酸。

5.根据权利要求1所述的盐酸型P-I...

【技术特征摘要】

1.一种盐酸型p-ito蚀刻液，其特征在于，包括以下质量百分数的成分：

2.根据权利要求1所述的盐酸型p-ito蚀刻液，其特征在于，所述金属缓蚀剂为苯并三氮唑、5-氨基四氮唑、1,2,4-三唑、苯并吡咯、3-氨基-1,2,4-三氮唑、3,5-二氨基-1,2,4-三氮唑、羟甲基苯并三氮唑中至少一种。

3.根据权利要求1所述的盐酸型p-ito蚀刻液，其特征在于，所述无机氯化物为氯化铁、氯化铵、氯化钾中至少一种。

4.根据权利要求1所述的盐酸型p-ito蚀刻液，其特征在于，所述第一无机酸还包括硝酸和/或硫酸。

5.根据权利要求1所述的盐酸型p-ito蚀刻液，其特征在于，所述第二无机酸还包括碳酸、磷酸、甲酸以及乙酸中的至少一种。

【专利技术属性】
技术研发人员：李瑞，张秋莲，邵勇，彭聪，姜丽娜，吕行行，
申请(专利权)人：四川江化微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：