半桥电路制造技术

本发明专利技术涉及一种半桥电路(1)，其包括分别并联连结的至少两个高压侧晶体管(T1,T2)和至少两个低压侧晶体管(T3,T4)，其中，晶体管(T1‑T4)布置在带有金属化部的共同的基板(3)上，其中，所述至少两个高压侧晶体管(T1,T2)和所述至少两个低压侧晶体管(T3,T4)分别彼此镜像对称地布置或相对彼此转动了180°布置，其中，用于正电压接口(DC+)、负电压接口(DC‑)和相位接口的接触片(4‑7)分别镜像对称地构造，其中，在高压侧晶体管(T1,T2)之间且在低压侧晶体管(T3,T4)之间将至少一个附加的基板(8,9)施加到基板(3)的金属化部上，其中，用于高压侧晶体管(T1,T2)的共同的栅极接口和用于低压侧晶体管(T3,T4)的共同的栅极接口在所述至少一个附加的基板(8,9)上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半桥电路，带有分别并联连结的至少两个高压侧晶体管和至少两个低压侧晶体管。

技术介绍

1、半桥电路经常用于各种电路、如脉冲逆变器或dc/dc转换器中。在此，半桥电路还可以切换非常高的电压和电流。半桥的功率半导体(如igbt或mosfet)在此是例如布置在共同的基板上的结构元件。在此尤其地，mosfet以各种技术已知，例如作为si或sic晶体管。尤其对于sic晶体管而言，迄今可达到的芯片面积仍然受限，从而其载流能力受限。为了解决该问题，已知的是，并联连结两个或更多个mosfet。

2、从de 10 2022 204 400 a1中已知一种带有至少一个半桥的逆变器，其中半桥具有至少一个高压侧晶体管和低压侧晶体管。在一种优选的实施方式中设置成，半桥分别具有四个高压侧晶体管和四个低压侧晶体管，其中四个高压侧晶体管和四个低压侧晶体管分别并联连结。在此，高压侧晶体管和低压侧晶体管布置在两列中，其中直流电压接口的金属化部和交流电压接口的金属化部如此构建，即，使得构造有用于所有高压侧晶体管的中心馈电点和用于所有低压侧晶体管的中心馈电点。由此电流本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半桥电路(1)，包括分别并联连结的至少两个高压侧晶体管(T1,T2)和至少两个低压侧晶体管(T3,T4)，其中，所述晶体管(T1-T4)布置在带有金属化部的共同的基板(3)上，其中，所述至少两个高压侧晶体管(T1,T2)和所述至少两个低压侧晶体管(T3,T4)分别彼此镜像对称地布置或相对彼此转动了180°布置，其中，用于正电压接口(DC+)、负电压接口(DC-)和相位接口的接触片(4-7)分别镜像对称地构造，其中，在所述高压侧晶体管(T1,T2)之间且在所述低压侧晶体管(T3,T4)之间将至少一个附加的基板(8,9)施加到所述基板(3)的金属化部上，其中，用于所述高压侧晶体管(T...

【技术特征摘要】

1.一种半桥电路(1)，包括分别并联连结的至少两个高压侧晶体管(t1,t2)和至少两个低压侧晶体管(t3,t4)，其中，所述晶体管(t1-t4)布置在带有金属化部的共同的基板(3)上，其中，所述至少两个高压侧晶体管(t1,t2)和所述至少两个低压侧晶体管(t3,t4)分别彼此镜像对称地布置或相对彼此转动了180°布置，其中，用于正电压接口(dc+)、负电压接口(dc-)和相位接口的接触片(4-7)分别镜像对称地构造，其中，在所述高压侧晶体管(t1,t2)之间且在所述低压侧晶体管(t3,t4)之间将至少一个附加的基板(8,9)施加到所述基板(3)的金属化部上，其中，用于所述高压侧晶体管(t1,t2)的共同的栅极接口和用于所述低压侧晶体管(t3,t4)的共同的栅极接口在所述至少一个附加的基板(8,9)上。

2.根据权利要求1所述的半桥电路，其特征在于，设置有两个附加的基板(8,9)，其中，附加的基板(8)具有用于所述高压侧晶体管(t1,t2)的栅极接口，而另外的附加的基板(9)具有用于所述低压侧晶体管(t3,t4)的栅极接口。

3.根据前述权利要求中任一项所述的半桥电路，其特征在于，在附加的一个或多个所述基板(8,9)上布置有用于所述高压侧晶体管(t1,t2)的共同的开尔文源极触点和用于所述低压侧晶体管(t3,t4)的共同的开尔文源极触点。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半桥电路，其特征在于，在所述晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·阿努特，S·克拉夫特，R·威尔克，
申请(专利权)人：大众汽车股份公司，
类型：发明
国别省市：