半导体器件及制造方法、晶片结构技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及制造方法、晶片结构，该制造方法包括：半导体结构包括器件核心区域、划片道区域、半导体本体、第一电极、第一绝缘层和缓冲层；第一绝缘层至少位于划片道区域；第一电极位于第一绝缘层远离半导体本体的一侧；缓冲层位于器件核心区域；在缓冲层远离第一电极的一侧形成钝化层，且钝化层位于器件核心区域和划片道区域；去除器件核心区域和划片道区域的至少部分钝化层；去除划片道区域的第一绝缘层，缓冲层在第一绝缘层的去除过程中至少部分保留，并覆盖第一电极；去除缓冲层；在划片道区域进行划片切割。本发明专利技术实施例提供的技术方案，提高了半导体器件制造过程中，在划片道区域进行划片切割的切割精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及制造方法、晶片结构。

技术介绍

1、以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体的金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)成为了功率半导体器件的研究热点，其具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。

2、现有半导体器件在从划片道区域进行划片切割的过程中，划片道区域中半导体本体表面存在刻蚀残留，进而导致划片道区域的切割精度不高。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种半导体器件及制造方法、晶片结构，以提高半导体器件制造过程中，在划片道区域进行划片切割的切割精度。

2、根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体器件的制造方法，包括：

3、提供半导体结构，所述半导体结构包括器件核心区域和划片道区域；所述划片道区域位于所述器件核心区域的一侧；所述半导体结构还包括半导体本体、第一电极、第一绝缘层和缓冲层；所述半导体本体包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层和所述缓冲层的材料相同，且提供所述缓冲层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层和所述缓冲层的材料不同；

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述缓冲层包括至少两层子缓冲层，去除所述划片道区域的所述第一绝缘层时，控制至少部分所述子缓冲层的去除速率小于所述第一绝缘层的去除速率。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层和所述缓冲层的材料相同，且提供所述缓冲层的厚度大于所述第一绝缘层的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层和所述缓冲层的材料不同；

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述缓冲层包括至少两层子缓冲层，去除所述划片道区域的所述第一绝缘层时，控制至少部分所述子缓冲层的去除速率小于所述第一绝缘层的去除速率。

5.根据权利要求4所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢炜，黄发军，罗成志，
申请(专利权)人：长飞先进半导体武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：