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本发明公开了一种半导体器件及制造方法、晶片结构，该制造方法包括：半导体结构包括器件核心区域、划片道区域、半导体本体、第一电极、第一绝缘层和缓冲层；第一绝缘层至少位于划片道区域；第一电极位于第一绝缘层远离半导体本体的一侧；缓冲层位于器件核心区...
该专利属于长飞先进半导体（武汉）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长飞先进半导体（武汉）有限公司授权不得商用。

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