半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体器件，包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；其中，第一表面包括元胞区第一表面和终端区第一表面；半导体本体还包括多个第一区；多个包覆结构，从终端区第一表面延伸至半导体本体中；包覆结构包括顶面包覆层和侧壁包覆层；顶面包覆层位于第一区远离第二表面的一侧，侧壁包覆层位于第一区的侧壁；其中，包覆结构的材料与半导体本体的材料不同，且位于第一区侧壁的侧壁包覆层的导电类型与第一区的导电类型相反。本发明专利技术提供的技术方案，保证了终端结构的分压效果和耐压特性，提高了半导体器件的耐压性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆。

技术介绍

1、作为第三代半导体材料的代表，碳化硅(sic)具有优良的物理和电学特性。相比硅材料，sic材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用sic材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，还适用于高电压、高频率场景。

2、为了提高半导体器件的反向耐压，减小电场集中效应，在高压器件中，需要采用结终端技术来调制器件内部耐压区的电场分布。图1是相关技术中提供的一种功率器件的终端结构的剖面结构示意图，参考图1，场限环终端结构是一种常用的功率器件边缘终端结构，该结构可以和器件主结区同时制作，因而制造步骤简单，成本低廉。然而，第一区注入区100需要精确设计环间距、环宽、环深度，微小的偏差可能导致击穿电压大幅下降，但是第一区注入区100中的离子会在高温退火过程中发生扩散，甚至使相邻的第一区注入区100连在一起，影响了终端结构的分压作用，降低了半导体器件的耐压性。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每一所述第一区的一侧侧壁设置有所述侧壁包覆层，且全部的所述侧壁包覆层位于所述第一区的同一侧；或者，每一所述第一区的相对两侧的侧壁设置有所述侧壁包覆层；其中，所述顶面包覆层的导电类型与所述第一区的导电类型相同。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一区通过所述顶面包覆层输入源极电信号。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述终端区第一表面设置有多个间隔排列的容纳沟槽，每一包覆...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每一所述第一区的一侧侧壁设置有所述侧壁包覆层，且全部的所述侧壁包覆层位于所述第一区的同一侧；或者，每一所述第一区的相对两侧的侧壁设置有所述侧壁包覆层；其中，所述顶面包覆层的导电类型与所述第一区的导电类型相同。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一区通过所述顶面包覆层输入源极电信号。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述终端区第一表面设置有多个间隔排列的容纳沟槽，每一包覆结构对应位于一所述容纳沟槽中；

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一区的导电类型与所述半导体本体的导电类型不同；

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体本体包括元胞部和终端部；所述第一区位于所述终端部；

8.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

9.一种半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐宇坤，罗成志，
申请(专利权)人：长飞先进半导体武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：