功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆技术

本发明专利技术公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体本体，半导体本体包括主体区和终端区，终端区环绕主体区；半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体为第一导电类型；终端区的第一表面设置有至少一个场限环组，每一场限环组包括阻挡层和第一区域；沿第一方向，每一场限环组包括间隔设置的两个沟槽，沟槽从第一表面延伸至半导体本体中；阻挡层位于沟槽内，第一区域位于两个沟槽之间；其中，第一区域为第二导电类型，第一方向与第一表面指向第二表面的方向交叉。本发明专利技术可以提高器件的耐压性能，提高器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆。

技术介绍

1、近年来，随着5g、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，以碳化硅(sic)为首的第三代半导体材料在这一趋势下逐渐从科研走向产业化，并成为替代部分硅基功率器件的明确趋势。

2、为了提高碳化硅器件的反向耐压，减小电场集中效应，在高压器件中，需要采用结终端技术来调制器件内部耐压区的电场分布。常用的碳化硅器件边缘终端结构有场限环、结终端延伸和场板等。

3、场限环是一种常用的功率器件边缘终端结构，场限环结构可以和器件主结区同时制作，因而制造步骤简单，成本低廉。然而，场限环需要精确设计环间距、环宽、环深度，微小的偏差可能导致击穿电压大幅下降，耐压性能降低。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，可以提高器件的耐压性能，提高器件的可靠性。

2、根据本专利技术的一方面，提供了一种功率器件，包括：

3、半导体本体，所述半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，沿所述第一方向，每一所述阻挡层的厚度相同；

3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述终端区设置有多个场限环组；沿第一方向，所述多个场限环组间隔设置，相邻场限环组的间距相同或者依次递增。

4.根据权利要求3所述的功率器件，其特征在于，所述相邻场限环组的间距为0.5μm-5μm。

5.根据权利要求1所述功率器件，其特征在于，所述终端区设置有多个场限环组；沿第一方向，每一所述场限环组中两个沟槽的间距相同或者依次递减。

6.一种功率器件的制备方...

【技术特征摘要】

1.一种功率器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，沿所述第一方向，每一所述阻挡层的厚度相同；

3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述终端区设置有多个场限环组；沿第一方向，所述多个场限环组间隔设置，相邻场限环组的间距相同或者依次递增。

4.根据权利要求3所述的功率器件，其特征在于，所述相邻场限环组的间距为0.5μm-5μm。

5.根据权利要求1所述功率器件，其特征在于，所述终端区设置有多个场限环组；沿第一方向，每一所述场限环组中两个沟槽的间距相同或者依次递减。

6.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，形成半导体本体，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐宇坤，罗成志，
申请(专利权)人：长飞先进半导体武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：