硼扩散吸杂方法及其在制备TOPCon电池中的应用和TOPCon电池的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种硼扩散吸杂方法及其在制备TOPCon电池中的应用和TOPCon电池的制备方法，涉及太阳能电池的技术领域，包括以下步骤：(A)在硅基体的两面依次叠层制备第一隧穿氧化层和本征硅层；(B)对步骤(A)得到的硅基体依次进行硼扩散和吸杂处理，形成BSG层；其中，所述吸杂处理在氧气氛围下进行，所述吸杂处理的温度低于所述硼扩散的处理温度。本发明专利技术在硼扩工艺过程中，完成高温推进后，降温前新增了吸杂步序，吸杂处理的温度低于硼扩散的处理温度，具有低温吸杂功效，该硼扩散吸杂方法进行金属杂质吸杂，使金属离子聚集到表面氧化层中，后续结合BSG层，去除硅片表面金属杂质，降低电池片表面复合，减少静置衰减。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，尤其是涉及一种硼扩散吸杂方法及其在制备topcon电池中的应用和topcon电池的制备方法。

技术介绍

1、随着全球对可再生能源需求的不断增长，光伏产业作为清洁能源的重要组成部分，近年来得到了快速发展。我国光伏产业在制造端和应用端均呈现规模持续扩大的态势，产业链各环节的产能迅速释放，推动了光伏技术的进步和成本的下降。然而，随着市场供需关系的进一步失衡，光伏产品价格呈现加速下跌趋势，企业面临着巨大的市场竞争压力。在此背景下，降低生产成本已成为企业在激烈市场竞争中获取优势地位的关键因素。

2、在硅片材料方面，低少子硅片因其价格显著低于正a基准片(少子寿命800μs)，逐渐成为企业降低生产成本的重要选择。然而，低少子硅片中的金属杂质易在硅片中形成其他复合中心，导致电流密度增大，最终造成转换效率降低。具体而言，当前技术存在以下主要问题：现有吸杂工艺采用磷扩吸杂工艺，需额外增加磷扩与去psg清洗工序，这不仅增加了设备投入成本，也显著提高了工艺制造成本；若直接使用低少子硅片生产且不进行吸杂处理，制成的电池片存在静置衰减较大的问题，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硼扩散吸杂方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的硼扩散吸杂方法，其特征在于，所述吸杂处理的温度为800-950℃；时间为0.5-2h；氧气流量为5000-30000sccm；

3.根据权利要求1所述的硼扩散吸杂方法，其特征在于，步骤(a)中，硅基体的电阻率为0.5-5Ω·cm；厚度为80-200um；

4.根据权利要求1-3任一项所述的硼扩散吸杂方法在制备TOPCon电池中的应用。

5.一种TOPCon电池的制备方法，其特征在于，采用权利要求1-3任一项所述的硼扩散吸杂方法制备得到。

6.根据权利要求5所述的...

【技术特征摘要】

1.一种硼扩散吸杂方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的硼扩散吸杂方法，其特征在于，所述吸杂处理的温度为800-950℃；时间为0.5-2h；氧气流量为5000-30000sccm；

3.根据权利要求1所述的硼扩散吸杂方法，其特征在于，步骤(a)中，硅基体的电阻率为0.5-5ω·cm；厚度为80-200um；

4.根据权利要求1-3任一项所述的硼扩散吸杂方法在制备topcon电池中的应用。

5.一种topcon电池的制备方法，其特征在于，采用权利要求1-3任一项所述的硼扩散吸杂方法制备得到。

6.根据权利要求5所述的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋富辉，陈曙鑫，叶文兰，谈锦彪，
申请(专利权)人：环晟光伏江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：