【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及存储器装置，且更确切地说，涉及分叉存取线接触件。
技术介绍
1、存储器通常实施于例如计算机、蜂窝电话、手持式装置等的电子系统中。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据，且可包含随机存取存储器(ram)、动态随机存取存储器(dram)、静态随机存取存储器(sram)和同步动态随机存取存储器(sdram)。非易失性存储器可通过在未供电时保持所存储数据来提供持久性数据，且可包含nand闪存存储器、nor闪存存储器、氮化物只读存储器(nrom)、相变存储器(例如，相变随机存取存储器)、电阻式存储器(例如，电阻式随机存取存储器)、交叉点存储器、铁电随机存取存储器(feram)等。
2、随着设计规则缩减，可用于制造包含dram阵列的存储器的半导体空间越来越少。用于dram的相应存储器单元可包含具有通过沟道区分开的第一和第二源极/漏极区的存取装置，例如晶体管。栅极可与沟道区相对且通过栅极电介质与沟道区分开。例如字线的存取线电连接到dram存储器单元的栅极。dram存储器单元...
【技术保护点】
1.一种用于形成竖直堆叠存储器单元(110)的阵列的方法，所述竖直堆叠存储器单元的阵列具有水平定向存取装置(130、230)和存储节点(127、227、474)，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括去除所述竖直堆叠的底部部分以形成第二水平开口，其中所述竖直堆叠的所述底部部分包含比其它硅锗SiGe材料层更接近于衬底的一硅锗SiGe材料层、比其它硅Si材料层更接近于所述衬底的一硅Si材料层，或此两者。
3.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的方法，其进一步包括沉积所述第一介电材料以填充所述第二水平开口。
4.根据...
【技术特征摘要】
1.一种用于形成竖直堆叠存储器单元(110)的阵列的方法，所述竖直堆叠存储器单元的阵列具有水平定向存取装置(130、230)和存储节点(127、227、474)，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括去除所述竖直堆叠的底部部分以形成第二水平开口，其中所述竖直堆叠的所述底部部分包含比其它硅锗sige材料层更接近于衬底的一硅锗sige材料层、比其它硅si材料层更接近于所述衬底的一硅si材料层，或此两者。
3.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的方法，其进一步包括沉积所述第一介电材料以填充所述第二水平开口。
4.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的方法，其中形成第一竖直开口进一步包括在所述竖直堆叠的每一层级处形成水平定向存取装置和水平定向存储节点以形成所述竖直堆叠存储器单元的阵列，每一水平定向存取装置具有通过沟道区(125、225)分开的第一源极/漏极区(121、221)和第二源极/漏极区(123、223)以及完全环绕所述沟道区(125、225)的每一表面形成为栅极介电材料(204、304)上的全环绕栅极gaa结构的栅极，且所述第二源极/漏极区(123、223)耦合到所述水平定向存储节点。
5.根据权利要求4所述的方法，其中在所述竖直堆叠的每一层级处形成所述水平定向存取装置和所述水平定向存储节点进一步包括：
6.根据...
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