【技术实现步骤摘要】
一个或更多个实施例涉及薄膜晶体管基底和包括该薄膜晶体管基底的显示设备，更具体地，涉及其中减少来自外部的光的影响的薄膜晶体管基底和包括该薄膜晶体管基底的显示设备。
技术介绍
1、通常，显示设备包括显示元件和分别电连接到显示元件的像素电路，并且像素电路中的每个包括薄膜晶体管等。像素电路可以控制电连接到其的显示元件的发光的水平，因此，可以在显示区域中显示图像。
2、然而，在传统的显示设备中，由于来自外部的光的影响，显示图像的质量可能会降低。
技术实现思路
1、一个或更多个实施例包括其中减少来自外部的光的影响的薄膜晶体管基底和包括该薄膜晶体管基底的显示设备。
2、根据一个或更多个实施例，薄膜晶体管基底包括：基底；半导体层，设置在基底上；以及栅电极，设置在半导体层上，其中，基底包括第一基底；第二基底，与第一基底相对设置；基底中间层，置于第一基底与第二基底之间；第一中间电极，置于基底中间层与第一基底之间并且与栅电极对应；以及第二中间电极，置于基底中间层与第二基底之间并且与栅电极
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【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，当在垂直于所述基底的方向上观看时，所述第一中间电极和所述第二中间电极中的每者与所述栅电极叠置。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基底，其中，当在垂直于所述基底的所述方向上观看时，所述栅电极位于所述第二中间电极内。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基底，其中，当在垂直于所述基底的所述方向上观看时，所述栅电极的边缘的一部分与所述半导体层叠置，并且所述栅电极的所述边缘的所述一部分与所述第二中间电极的边缘叠置。
5.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，当在垂直于所述基底的方向上观看时，所述第一中间电极和所述第二中间电极中的每者与所述栅电极叠置。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基底，其中，当在垂直于所述基底的所述方向上观看时，所述栅电极位于所述第二中间电极内。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基底，其中，当在垂直于所述基底的所述方向上观看时，所述栅电极的边缘的一部分与所述半导体层叠置，并且所述栅电极的所述边缘的所述一部分与所述第二中间电极的边缘叠置。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，所述基底中间层包括非晶硅或晶体硅。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，电信号被施加到所述第一中间电极和所述第二中间电极，并且
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，电信号被施加到所述第一中间电极和所述第二中间电极，并且
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，当包括所述半导体层和所述栅电极的晶体管导通时，电信号被施加到所述第一中间电极和所述第二中间电极。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基底，其中，在从所述晶体管导通的时间点到所述晶体管截止的时间点的时段期间，施加到所述第一中间电极的电信号的极性交替地改变。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基底，其中，施加到所述第二中间电极的电信号的极性与施加到所述第一中间电极的所述电信号的所述极性相反。
11.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基底，其中，在从所述晶体管导通的时间点到所述晶体管截止的时间点的时段期间，施加到所述第一中间电极的电信号的电位交替地改变。
12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管基底，其中，施加到所述第一中间电极的所述电信号的所述电位在第一电位与第二电位之间交替...
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