【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶硅制造，尤其是涉及一种检测装置。
技术介绍
1、相关技术中，单晶炉的副室在制造和使用过程中可能受到金属材料的污染，单晶炉内的惰性气体也可能含有微量的金属蒸气或化合物。由此，单晶硅在单晶炉内的生长过程中，由于单晶炉内长期保持在高温环境，随着长晶周期的不断循环，上述的金属污染物在高温下可能溶解到熔融硅中，严重影响单晶硅的纯度和品质，一旦无法及时预防，会导致单晶硅的无效产出。
技术实现思路
1、本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种检测装置，所述检测装置可以取样单晶炉内不同高度的气体以测量金属污染，准确性和可靠性高，有利于提高炉内单晶硅的纯度和成品率。
2、根据本技术实施例的检测装置，包括：籽晶轴和取样单元。所述检测装置用于单晶炉内金属污染的测量，所述单晶炉包括炉体，所述炉体内的上端具有副室，所述籽晶轴沿上下方向延伸且可相对所述副室在上下方向上移动，且所述籽晶轴适于围绕所述副室的中心轴线旋转，所述籽晶轴内穿设有沿上下方向延伸的气管；所述取样...
【技术保护点】
1.一种检测装置，其特征在于，用于单晶炉内金属污染的测量，所述单晶炉包括炉体，所述炉体内的上端具有副室，所述检测装置包括：
2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述炉体还具有主室，所述主室位于所述副室的下侧，所述主室内设置有：
5.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述延长管还包括延伸管，所述延伸管沿水平方向延伸且一端与所述管本体的下端连接，另一端与所述水冷屏的侧壁间隔开。
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种检测装置，其特征在于，用于单晶炉内金属污染的测量，所述单晶炉包括炉体，所述炉体内的上端具有副室，所述检测装置包括：
2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述炉体还具有主室，所述主室位于所述副室的下侧，所述主室内设置有：
5.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述延长管还包括延伸管，所述延伸管沿水平方向延伸且一端与所述管本体的下端连接，另一端与所述水冷屏的侧壁间隔开。
6.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述冷却单元包括：
7.根据权利要求6所述的检测装置，其特征在于，所述籽晶轴上设有沿上下方向延伸的进水通道和出水通道，所述进水通道的进水端外接进水管，所述进水通道的出水端与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李向阳，黄末，
申请(专利权)人：中环领先徐州半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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