【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，尤其是涉及一种外延生长基座及具有其的外延生长设备。
技术介绍
1、在目前晶圆原衬底制造过程中，外延生长是半导体制造中的一个重要工艺，该工艺是在特定的温度压力条件下，通过对反应气体和载流气体的流量控制，在衬底上生长一层满足要求的单晶层的方法具体方法包括真空外延、气相外延、液相外延等。
2、对于硅片的外延层来说，其平坦度参数是影响硅晶片性能的重要参数，例如12寸外延产品，进入小线宽的阶段，小的线宽对外延片平坦度要求较高；而外延层平坦度水平较低，会影响后道晶圆器件的加工，容易造成器件失效，降低产品良率。
3、目前应用最广泛的是化学气相沉积外延，然而硅片(或者说外延片)不同晶向上晶体生长速率不同，对硅片边缘例如120mm-150mm处生长速率影响较大，会降低边缘平坦度esfqr(edge site front ouadratic rang)水平。
技术实现思路
1、本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种外延生长基座，所述外延生...
【技术保护点】
1.一种外延生长基座，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的外延生长基座，其特征在于，自所述凹槽在周向上的中心位置朝向周向两侧，所述凹槽的深度减小。
3.根据权利要求2所述的外延生长基座，其特征在于，所述边缘部的外周轮廓为圆形，所述凹槽的底壁沿直线延伸。
4.根据权利要求1所述的外延生长基座，其特征在于，所述边缘部的厚度大于所述承载部的厚度，在所述边缘部的径向上，所述凹槽的最大深度小于所述边缘部的径向宽度且大于所述边缘部径向宽度的一半。
5.根据权利要求4所述的外延生长基座，其特征在于，所述凹槽的设置满足条件：所述...
【技术特征摘要】
1.一种外延生长基座，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的外延生长基座，其特征在于，自所述凹槽在周向上的中心位置朝向周向两侧，所述凹槽的深度减小。
3.根据权利要求2所述的外延生长基座，其特征在于，所述边缘部的外周轮廓为圆形，所述凹槽的底壁沿直线延伸。
4.根据权利要求1所述的外延生长基座，其特征在于，所述边缘部的厚度大于所述承载部的厚度，在所述边缘部的径向上，所述凹槽的最大深度小于所述边缘部的径向宽度且大于所述边缘部径向宽度的一半。
5.根据权利要求4所述的外延生长基座，其特征在于，所述凹槽的设置满足条件：所述边缘部的径向宽度为w，所述凹槽的最大深度为h，w≥36mm，20mm≤h≤35mm。
6.根据权利要求1所述的外延生长基座，其特征在于，所述边缘部的厚度为t，所述凹槽与所述承载部两端端面之间的最...
【专利技术属性】
技术研发人员：张礼鑫，李青海，权爱春，张峻纲，滕杨，王雪伶，谢鑫磊，王敏，
申请(专利权)人：中环领先徐州半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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