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本技术公开了一种外延生长基座及具有其的外延生长设备，涉及半导体技术领域，外延生长基座包括：承载部和边缘部。边缘部形成为环形结构且环绕承载部的外周侧设置，且与承载部在承载部的一侧限定出容纳槽，容纳槽用于放置衬底，边缘部的外周壁上形成有多个沿边...
该专利属于中环领先（徐州）半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环领先（徐州）半导体材料有限公司授权不得商用。

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