一种考虑栅电流效应的E-mode器件非线性电流模型参数提取方法技术

本发明专利技术公开了一种考虑栅电流效应的E‑mode器件非线性电流模型参数提取方法，涉及增强型器件建模技术领域。包括：建立E‑mode器件的非线性电流模型；提取晶体管寄生电阻；去除晶体管寄生电阻影响，计算非线性电流模型中本征区栅‑源和栅‑漏节点电压，得到本征的栅源电压和漏源电压；提取本征栅电流模型参数；从晶体管实测漏‑源电流中融合栅电流分量的影响得到本征部分的漏源电流分量；提取本征非线性漏‑源电流模型参数；将本征非线性漏‑源电流模型参数值代入本征非线性漏‑源电流模型方程进行验证。本发明专利技术在传统非线性电流模型参数提取方法中引入栅电流分量计算，实现本征非线性电流源参数准确提取。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及增强型器件建模，尤其涉及一种考虑栅电流效应的e-mode器件非线性电流模型参数提取方法。

技术介绍

1、晶体管模型是对真实晶体管特性的一种数学物理抽象，是集成电路eda技术的基座，对实现精准集成电路设计至关重要。增强型（e-mode）器件具有高开关速度、低导通电阻等显著优势，能够有效提升电路性能，降低功耗，是电力电子技术发展的重要方向。然而，e-mode器件的工作偏置通常是栅源电压正偏（vgs>0），导致其栅电流效应显著，不仅影响器件的静态功耗，还将导致器件特性衰退，进而影响器件的非线性电流特性。模型参数提取是器件建模的核心环节。对于e-mode器件的非线性电流模型参数提取，若直接照搬传统忽略栅电流效应的耗尽型（d-mode）器件的参数提取算法，会导致建立的模型难以准确表征栅电流效应对器件线性区电流特性的影响。

2、传统非线性电流模型包含curtice、angelov和eehemt等，其中，angelov模型由于其较好的收敛性和对跨导及其高阶项的精确预测能力，在工业界应用广泛。目前国内外学者针对angelov的非线性电流模型本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种考虑栅电流效应的E-mode器件非线性电流模型参数提取方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种考虑栅电流效应的E-mode器件非线性电流模型参数提取方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的一种考虑栅电流效应的E-mode器件非线性电流模型参数提取方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的一种考虑栅电流效应的E-mode器件非线性电流模型参数提取方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的一种考虑栅电流效应的E-mode器件非线性电流模型参数提取方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的一种考虑栅电流...

【技术特征摘要】

1.一种考虑栅电流效应的e-mode器件非线性电流模型参数提取方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种考虑栅电流效应的e-mode器件非线性电流模型参数提取方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的一种考虑栅电流效应的e-mode器件非线性电流模型参数提取方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的一种考虑栅电流效应的e-mode器件非线性电流模型参数提取方法，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：毛书漫，马淑佼，姚翔宇，徐跃杭，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院湖州，
类型：发明
国别省市：