【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、集成电路包括电路元件，该电路元件由延伸穿过介电材料的金属线连接。一些集成电路利用金属线，该金属线由覆盖有钴氮化物层的铜形成。钴氮化物层有助于抑制铜的向外扩散。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
，以利用简化的形式来介绍概念的选择，其将在以下的具体实施方式中进一步描述。本
技术实现思路
不意图识别所要求保护的主题的关键特征或基本特征，也不意图用于限制所要求保护的主题的范围。此外，所要求保护的主题不限于解决本公开内容的任何部分中所提到的任何或所有缺点的实现方案。
2、公开的示例涉及在金属氮化物层中形成金属间氮化物相(intermetal nitridephase)，该金属间氮化物相抑制金属氮化物层中的金属迁移率。一示例提供一种用于处理衬底的方法。该方法包括将气相含金属前体引入处理室中，以将衬底上的金属氮化物层暴露于气相含金属前体，从而在金属氮化物层的至少表面区域中形成金属间氮化物相。方法还包括将介电蚀刻停止层沉积到钴氮化物层上。
3、在一些这样的示例中，该...
【技术保护点】
1.一种用于处理衬底的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属氮化物层包括钴氮化物层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中将所述钴氮化物层暴露于所述气相含金属前体包括将所述钴氮化物层暴露于有机铝前体。
4.根据权利要求3所述的方法，其中将所述钴氮化物层暴露于所述有机铝前体包括将所述钴氮化物层暴露于三甲基铝、三乙基铝或三异丁基铝中的一者或更多者。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述气相含金属前体包括有机金属化学品，所述有机金属化学品包括铝、铍、镁、钛、或钨。
6.根据权利要求2所述的...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于处理衬底的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属氮化物层包括钴氮化物层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中将所述钴氮化物层暴露于所述气相含金属前体包括将所述钴氮化物层暴露于有机铝前体。
4.根据权利要求3所述的方法，其中将所述钴氮化物层暴露于所述有机铝前体包括将所述钴氮化物层暴露于三甲基铝、三乙基铝或三异丁基铝中的一者或更多者。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述气相含金属前体包括有机金属化学品，所述有机金属化学品包括铝、铍、镁、钛、或钨。
6.根据权利要求2所述的方法，其还包括在将所述气相含金属前体引入所述处理室中之前，执行预处理，以从所述钴氮化物层移除至少一些氧化物。
7.根据权利要求2所述的方法，其中所述介电蚀刻停止层包括硅碳氮化物。
8.根据权利要求2所述的方法，其中将所述钴氮化物层暴露于所述气相含金属前体包括将所述钴氮化物层暴露于所述气相含金属前体持续1秒至60秒的持续时间。
9.根据权利要求2所述的方法，其还包括对所述衬底进行退火。
10.一种用于处理衬底的方法，所述方法包括：
11.根据权利要求10所...
【专利技术属性】
技术研发人员：威廉·托德·纳恩，凯文·M·麦克劳克林，阿南达·K·巴纳基，阿尔潘·普拉文·毛洛瓦拉，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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