本发明专利技术涉及用于涂覆多个基板（３）的装置，基板（３）规则地设置在配属于一处理室的基座（１）的承载表面（２）上，其中承载表面（２）形成用于每个基板（３）的边缘安装的邻接侧面（５）。为了减少自由基座表面到最小，提出了侧壁的邻接侧面（５）由基底（４）形成，基底（４）从承载表面（２）突出，并且以一距离彼此间隔。所述基底设置在蜂巢结构的拐角点（１０）上，并且其轮廓基本上对应于等边三角形，但具有向内弯曲的边（５）。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对以规则方式设置在配属于一处理室的基座的支撑表面上 的多个基板进行涂覆的装置，该支撑表面提供用于每个基板的边缘接合的邻才妻^f则面(abutment flanks )。
技术介绍
DE US 5814196描述了这样的涂覆装置，其中基板位于凹槽中，凹槽的 边缘与基板的外围形状匹配。凹槽的底面限定了对基板的支撑表面。基板的 中心位于等边三角形的拐角点。由US2003/0109139A1可知这样的抛光装置，其中以行星式布置将每三 个基板设置在基板载体上。DE 102004 009 130 Al描述了这样的涂覆多个基板的装置，该基板以规 则方式设置在配属于处理室的基座的支撑表面上，该支撑表面提供用于每个 基板的边缘接合的邻接侧面。在此情况下，基板设置在共六个转盘上。转盘 设置为关于基座的中心呈六边形布置。DE 100 43 600 Al示出了类似的布置。在用于涂覆多个基板的已知装置中，基板关于基座的中心呈圓形布置。 在第一行中，例如，四个基板关于基座的中心均匀地分布。因此，基板位于 基座的上表面的各凹槽中，各凹槽的中心围绕该中心的圓线行进。在围绕中 心的第二圓中，十个基板也类似地每个位于各凹槽中。在关于中心的第三圆 中，十六个基板以对应的方式位于各凹槽中，各凹槽的中心距基座的中心具 有相同的间隔。基板在基座上的这种布置带来一定的益处。处理室设置在基座的支撑表 面之上，处理气体通过气体进口构件从上面导入处理室。这些处理气体或者 以气相反应，或者在基板要涂覆的上表面上反应，处理气体的元素在层形成 过程中沉积在基板上。正因为这样，基座通常从下面加热。基本上不可避免的是，寄生生长(parasitical growth)发生在基座在各凹槽之间的间隔中。寄生生长不^f又导致不希望的气相损耗，而且具有对沉积层 均匀性的负面影响。
技术实现思路
因此，本专利技术的目标是有利地改善已知装置的可用性。权利要求中限定的本专利技术满足了这样的目标，每项权利要求都表示解决 问题的独立方案，并且可与任何其他权利要求相结合。本专利技术下面的解决方案提供基板之间的自由基座上表面的最小化。为 此，首先提出了与基板边缘接合的邻接侧面由从支撑表面突伸出的竖直部分 的侧壁定义。因此，有利的是竖直件设置在蜂巢状图案的拐角点。竖直件可 以彼此间隔以使得相邻基板的边缘部分接触或几乎接触。在优选构造中，竖 直件的外围边缘遵循(follow)基板的外围边缘。因为通常基板形成为基本 上圆形的形状，所以竖直件的侧壁具有向内弯曲的边。由此竖直件的拐角点 位于等边三角形的拐角点处，从而竖直件的平面图基本上对应于等边三角形 的平面图，但具有向内弯曲的边。竖直件优选在面对处理室的基板支架的宽 阔侧面中的凹陷底部升高。进一步优选的是竖直件由基座材料之外的材料制 作。基座通常由石墨或金属制作。然而，也可以由石英制作。竖直件在此情 况下可以形成为插入件，插入支撑表面中的插入开口中。尤其优选的是，竖 直件由与组成设置在竖直件之间的基板的材料相同的材料组成，如蓝宝石或 半导体材料。于是，竖直件上表面的物理和化学特性对应于基板上表面的化 学和物理特性。竖直件的高度基本上对应于基板材料的厚度。因为基板的外 围边缘几乎与竖直件的弯曲侧壁接触接合，所以使得在加载基板时，只有非 常小部分的基座的上表面不具有基板的物理和化学特性。作为该构造的结 果，可以增加层的均匀性。在本专利技术的开发中，如本领域的现有技术，基板 也位于与基板分别相关的各凹槽中。然而，这里恰当的是，各凹槽的中心位 于由等边三角形组成的格子的拐角点。格子常数，即拐角点彼此的间隔，仅 略微大于基板的直径。另外，这里各凹槽限定了用于基板边缘的邻接表面， 该邻接表面沿弧线行进。在每个三角形的拐角点之间的中心，存在基本上三 角形的竖直部分，竖直部分具有向内弯曲的侧壁。然而，这些侧壁在竖直件 的拐角点处不交叉，而结合成相邻的竖直件，形成材料桥。在该解决方案中， 基座的没有被基板覆盖的自由上表面也被最小化。附图说明下面，参考附图说明本专利技术的示范性实施例，在附图中图1示出了第一示范性实施例的基座的支撑表面的平面图，出于示例的目的，仅部分加载有基板3;图2是根据权利要求1的图示，三角形竖直部分4的中心点由辅助线7彼此连接，以便图示蜂巢状图案；图3示出了根据图1中的III的放大图4示出了图3中IV-IV线的截面图5示出了第二示范性实施例的根据图4的图示；图6示出了第三示范性实施例的根据图1的图示，以及图7示出了用于说明本专利技术的示意性图示，有关于根据本专利技术的装置细下。具体实施例方式图7描述了用于涂覆设置在基座1上的多个基板3的装置的反应器框架 的内部情况。基座1基本上由具有位于水平平面中的圆形上表面的石墨主体 组成，该上表面形成多个基板的支撑表面2。该基座1具有上至40 cm的直 径，可以绕旋转轴A旋转。在基座1的上方有处理室14，该处理室14向上由气体进口构件15的下 侧定界。开口可以以淋浴喷头(showerhead)的方式分布在气体进口构件15 的整个面朝下的气体出口面上， 一种或多种处理气体通过这些开口进入处理 室14，以使得以气相自发地或由设置在基座1下面的加热器热激活地在基板 的上表面上反应。处理气体包含第四主族的元素或者第三和第五主族的元素 或者第二和第六主族的元素。氯化物、氢化物或金属有机化合物可以通过气 体进口构件引入处理室14中，这也可以以其他的方式构造。特别是，上述 的第二至第六主族元素以结晶层的形式凝聚在以规则方式设置在基座1上的 基板3的上表面上。为了优化在基板3上的层成长，根据本专利技术，基板以能 最密堆积布置设在基座上。选择基板的六边形布置(hexagonal arrangement )。 特别是，由图2和6可了解的是，各基板3的中心IO处于一个格子的拐角 点上，其中每个格子单元由一个等边三角形组成。在图6中，这种格子借助辅助线11表示，这些辅助线11将各个分别可置入一个基板3的凹槽12的中心10彼此连接。在图2中，该结构示出为蜂巢图案。作为基板3在基座1上的六边形布置的结果，最小化了基座1没有被基板覆盖的自由表面。对于图解于图1至4中的第一示范性实施例，基座1的上侧，即处于水平平面并面朝上的表面，具有一个大的凹槽，由支撑表面2形成。因此，支撑表面2的外边缘沿着设置在凹槽中的基板的边缘的部分行进，这些边缘以弧形行进以形成凹槽边缘16。在支撑表面2内具有竖直部分4，竖直部分4从形成支撑表面2的凹槽底部突伸出。由图2中标记的辅助线7清楚可见，竖直件的中心点6位于六边形格子的格点，尤其是蜂巢形状。在这些格子单元的每一个中都具有基板3。竖直件4的拐角点位于等边三角形的顶点，竖直件4的侧壁5沿向内弯曲的线行进。竖直件4的侧壁5形成基板3的边缘8的邻接侧面(abutmentflank) 5，各基板3都设置在六个竖直件之间。在两个相邻的竖直件3彼此面对的拐角之间，具有自由空间，基板3的外围边缘的部分8可延伸到其中，以使得两个相邻基板的外围边缘8可以接触或者彼此相距仅百分之几毫米。作为该构造的结果，由竖直件4的角板形状(gusset-shaped)的上表面形成基座1上表面上的自由表面。竖直件4的彼此间的间距近似对应于竖直件4宽本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于涂覆多个基板（３）的装置，所述基板（３）以规则的方式布置在配属于一处理室（１４）的基座（１）的支撑表面（２）上，所述支撑表面（２）形成用于每个基板（３）的边缘接合的邻接侧面（５），其特征在于，所述邻接侧面（５）由多个竖直件（４）的侧壁（５）定义，所述多个竖直件（４）从所述支撑表面（３）突伸出，并且彼此隔开一间距，所述各竖直件位于蜂巢状图案的拐角点（１０），并且在平面图中具有基本上对应于等边三角形的形状，但具有向内弯曲的边（５）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2007-5-23 102007023970.11、一种用于涂覆多个基板(3)的装置，所述基板(3)以规则的方式布置在配属于一处理室(14)的基座(1)的支撑表面(2)上，所述支撑表面(2)形成用于每个基板(3)的边缘接合的邻接侧面(5)，其特征在于，所述邻接侧面(5)由多个竖直件(4)的侧壁(5)定义，所述多个竖直件(4)从所述支撑表面(3)突伸出，并且彼此隔开一间距，所述各竖直件位于蜂巢状图案的拐角点(10)，并且在平面图中具有基本上对应于等边三角形的形状，但具有向内弯曲的边(5)。2、 根据前述权利要求中的一项或多项或特别是根据这些权利要求所述 的装置，其特征在于，所述竖直件(4)彼此隔开以使得相邻基板(3)的边 缘部分(8)接触或几乎接触。3、 根据前述权利要求中的一项或多项或特别是根据这些权利要求所述 的装置，其特征在于，所述竖直件(4)是插入件，所述插入件插入所述支 撑表面(2)中的插入开口 (9)中。4、...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚当博伊德，维克托塞韦尔，简马尔德，奥利维尔费龙，约翰尼斯卡普勒，
申请(专利权)人：艾克斯特朗股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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