一种单晶炉制造技术

本技术适用于单晶硅制造技术领域，提供了一种单晶炉，包括：埚体，能够在驱动件驱动下做升降运动；多个加热结构，沿竖直方向依次间隔设置，绕设于至少部分所述埚体，包括加热主体和与加热主体连接的电极安装座；炉体，绕设于多个加热结构外，多个电极，安装于炉体，并和多个电极安装座一一对应连接。本技术中的单晶炉，可以调控每个加热结构对锅体的不同区域具有不同的加热量，使得热场温度梯度更均匀和稳定，从而当锅体在竖直方向上做升降运动时，能够控制距离锅体的拐角区域的远近的不同的加热主体的加热温度不同，避免了锅体的拐角区域的温度过高而造成氧析出而进入硅晶格中的情况，控制了单晶硅棒的纯度。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于单晶硅制造，尤其涉及一种单晶炉。

技术介绍

1、单晶硅片作为光伏发电的一种基础材料，拥有广泛的市场需求。直拉单晶硅生长方法是一种常见的单晶生长方法，其生长过程是在单晶炉中进行，通过石英坩埚盛装熔体，并通过加热器对石英坩埚不断加热，将籽晶浸入熔体，依次实施引晶、放肩、转肩、等径及收尾过程，最后获得单晶硅棒。

2、在通过单晶炉对单晶硅棒进行制备时，由于石英坩埚的主要成分是sio2，且在石英坩埚的拐角区域的氧含量最高，当加热器对石英坩埚加热时，该区域氧易析出而进入到晶格内，而降低了单晶棒产品良率，最终导致制备的电池片出现同心圆等质量问题，增加了报废率。

技术实现思路

1、本技术实施例提供的单晶炉，旨在解决现有技术中的石英坩埚中的氧易析出而进入到晶格内，降低了单晶棒产品良率的问题。

2、第一方面，本技术实施例提供一种单晶炉，包括：

3、埚体，能够在驱动件驱动下做升降运动；

4、多个加热结构，沿竖直方向依次间隔设置，绕设于至少部分所述埚体外，包括加热主体和与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单晶炉，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述加热主体呈波浪形。

3.如权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述加热主体的高度范围为50mm-260mm。

4.如权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，位于最下方的所述加热主体的高度小于其余的所述加热主体的高度。

5.如权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述电极安装座分别和所述加热主体、所述电极可拆卸连接，所述电极和所述炉体可拆卸连接。

6.如权利要求5所述的单晶炉，其特征在于，所述电极安装座的一端通过螺栓和所述加热主体连接，所述电极安装座的另一...

【技术特征摘要】

1.一种单晶炉，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述加热主体呈波浪形。

3.如权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述加热主体的高度范围为50mm-260mm。

4.如权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，位于最下方的所述加热主体的高度小于其余的所述加热主体的高度。

5.如权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述电极安装座分别和所述加热主体、所述电极可拆卸连接，所述电极和所述炉体可拆卸连接。

6.如权利要求5所述的单晶炉，其特征在于，所述电极安装座的一端通过螺栓和所述加热主体连接，所述电极安装座的另一端和所述电极螺纹连接。

7.如权利要求6所述的单晶炉，其特征在于，所述电极安装...

【专利技术属性】
技术研发人员：林永圳，陈辉，潘军明，张骏凯，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：