包括高热导率的砷化硼层的结构体和制造方法技术

一种用于微电子应用的结构体(Struct)，其沿着延伸平面延伸，包括砷化硼Bas的结晶层(BAs<subgt;lay</subgt;)，其具有分别沿着彼此垂直并且在所述延伸平面中的两个方向的两个维度，每个维度至少为2cm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种高热导率的半导体晶体，其采用衬底的形式，用于半导体工业中的应用，特别是用于形成在这种衬底上的半导体器件的热管理中。

技术介绍

1、散热是电子和半导体工业中最重要的问题。集成电路中的部件的高功率和高密度增加了包含它们的电子器件的温度，导致过热和故障。为了提高这些器件的可靠性，需要将集成电路中产生的热量快速扩散和去除，这是电子器件的一个方面，称为热管理。

2、提出了具有高热导率的材料以去除集成电路产生的热量。可以特别提及氮化铝(aln)和碳化硅(sic)，其各自的热导率为约285w/m.k和300w/m.k，这对于令人满意的热管理是不足的。金刚石具有约2000w/m.k的高热导率，但其成本高，难以在集成器件中实施。

3、在这种情况下，砷化硼(bas)的热特性已被证明是有吸引力的，特别是理论上评估的热导率为约1400w/m.k，实验测量的热导率为约1200w/m.k，因此远高于本领域常规使用的材料，例如热导率约为400w/m.k的铜。

4、然而，众所周知，砷化硼难以合成，并且只能以完美的结晶形式提供其最大热导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于微电子应用的结构体，其沿着延伸平面(xy)延伸，包括结晶砷化硼BAs层(BAslay，BAssplt.lay)，所述结晶砷化硼BAs层(BAslay，BAssplt.lay)具有分别沿着彼此垂直并且包含在所述延伸平面(xy)中的两个方向(x，y)的两个维度，每个维度为至少2cm。

2.根据权利要求1所述的结构体，其中，所述结晶砷化硼BAs层(BAslay,BAssplt.lay)是单晶的。

3.根据权利要求1或2所述的结构体，其还包括与所述砷化硼BAs层(BAslay,BAssplt.lay)直接接触的3C多型体碳化硅层(3C-SiClay,3C-Si...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于微电子应用的结构体，其沿着延伸平面(xy)延伸，包括结晶砷化硼bas层(baslay，bassplt.lay)，所述结晶砷化硼bas层(baslay，bassplt.lay)具有分别沿着彼此垂直并且包含在所述延伸平面(xy)中的两个方向(x，y)的两个维度，每个维度为至少2cm。

2.根据权利要求1所述的结构体，其中，所述结晶砷化硼bas层(baslay,bassplt.lay)是单晶的。

3.根据权利要求1或2所述的结构体，其还包括与所述砷化硼bas层(baslay,bassplt.lay)直接接触的3c多型体碳化硅层(3c-siclay,3c-sicsplt.lay)。

4.根据权利要求3所述的结构体，其中，所述结晶砷化硼bas层(baslay,bassplt.lay)和所述3c多型体碳化硅层(3c-siclay,3c-sicsplt.lay)中的一个包括注入层(imp)，所述注入层(imp)包括氢和/或氦。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的结构体，其包括附接到结晶砷化硼bas层(baslay,bassplt.lay)的临时支撑体(tempsprt)。

6.根据权利要求5所述的结构体，其中，所述临时支撑体(tempsprt)是粘性热胶带。

7.根据权利要求5或6所述的结构体，其包括在所述临时支撑体(tempsprt)和所述结晶砷化硼bas层(baslay)之间的应力源材料层(streslay)。

8.一种电子器件(dev)，其集成权利要求1至3中任一项所述的结构体。

9.根据权利要求8所述的电子器件(dev)，其包括半导体衬底(sub)，所述半导体衬底(sub)集成与所述结晶砷化硼bas层(baslay,bassplt.lay)并置的至少一个电子电路(crct)。

10.根据权利要求9所述的电子器件，其中，所述结晶砷化硼bas层(baslay,bassplt.lay)通过直接键合而接合到所述半导体衬底(sub)。

11.根据权利要求8所述的电子器件(dev)，其包括晶体管(tr)，所述晶体管(tr)配置为包括形成在所述结晶砷化硼b...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯托夫·菲盖，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：