GaN衬底制造技术

本发明专利技术涉及一种GaN衬底，是具有从作为Ga极性面的(0001)结晶面倾斜0～10°的主面1，且至少在上述主面1的表面具有Si掺杂GaN层的GaN衬底，上述Si掺杂GaN层的Si浓度为1×10<supgt;18</supgt;atoms/cm<supgt;3</supgt;以上，上述Si掺杂GaN层的表面中，凹状缺陷的底面积的合计为上述Si掺杂GaN层的表面整体面积的15％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种氮化镓(gan)衬底。

技术介绍

1、现在商业上生产的ingan系激光二极管(ld：laser diode)中使用的衬底是具有较高的载流子浓度的导电性gan衬底。另外，近年来也在积极地进行使用这样的导电性gan衬底的立式gan功率器件的研究开发。

2、在激光二极管、立式gan功率器件所使用的gan衬底中，n型gan衬底通过将衬底整体制成掺杂有n型供体的掺杂层，或者在衬底的层结构的一部分设置掺杂层而制成导电性gan衬底。要求n型gan衬底的低电阻化，已经进行了很多想要提高掺杂层中的供体掺杂浓度的尝试。制作器件时，将用于负电极的金属设置在n型gan衬底上。供体浓度越高，金属与半导体间的欧姆性变得越好，因此长期以来期望一种高载流子浓度的n型gan衬底。

3、然而，例如，如果想要通过采用ge作为供体的ge掺杂层来得到高载流子浓度的n型gan衬底，则会生成凹坑(pit)。

4、因此，非专利文献1中公开了一种gan衬底，其具有采用si作为供体并以高浓度掺杂有si的si掺杂gan层。

5、现有技术文献...

【技术保护点】

1.一种GaN衬底，具有从作为Ga极性面的(0001)结晶面倾斜0～10°的主面1，且至少在所述主面1的表面具有Si掺杂GaN层，

2.一种GaN衬底，具有从作为Ga极性面的(0001)结晶面倾斜0～10°的主面1，且至少在所述主面1的表面具有Si掺杂GaN层，

3.一种GaN衬底，具有从作为Ga极性面的(0001)结晶面倾斜0～10°的主面1，且至少在所述主面1的表面具有Si掺杂GaN层，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的GaN衬底，其中，所述Si掺杂GaN层的厚度为50μm以上。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的GaN衬底，其中...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种gan衬底，具有从作为ga极性面的(0001)结晶面倾斜0～10°的主面1，且至少在所述主面1的表面具有si掺杂gan层，

2.一种gan衬底，具有从作为ga极性面的(0001)结晶面倾斜0～10°的主面1，且至少在所述主面1的表面具有si掺杂gan层，

3.一种gan衬底，具有从作为ga极性面的(0001)结晶面倾斜0～10°的主面1，且至少在所述主面1的表面具有si掺杂gan层，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的gan衬底，其中，所述si掺杂gan层的厚度为50μm以上。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的gan衬底，其中，所述si掺杂gan层的表面中，深度5μm以上的凹部的底面积的合计为所述si掺杂gan层的表面整体面积的15％以下。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的gan衬底，其中，所述si掺杂gan层的表面存在1处以上的不存在凹状缺陷的5mm×5mm的方格。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的gan衬底，其中，所述si掺杂gan层的表面存在1处以上的不存在深度5μm以上的凹部的5mm×5mm的方格。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的gan衬底，其中，所述si掺杂gan层的300k时的比电阻为1×...

【专利技术属性】
技术研发人员：矶宪司，广泽拓哉，
申请(专利权)人：三菱化学株式会社，
类型：发明
国别省市：