【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【】本专利技术系关于一种制造装置的方法，包括在沉积设备中沉积在单晶蓝宝石基板的表面上的一种或多种半导体材料的非孪晶外延层(un-twinned epitaxial layer)。此外，本专利技术涉及一种包括沉积在单晶蓝宝石基板的表面上的一种或多种半导体材料的非孪晶外延层的装置。此外，本专利技术系关于一种用于制造所述装置的沉积设备，所述沉积设备包括用于设置单晶蓝宝石基板的相对于环境大气(ambient atmosphere)可密封的反应室、用于在反应室中提供可调节大气的气体系统、用于加热所述基板的加热工具、以及用于在所述基板的所述表面上沉积一种或多种半导体材料的外延层的沉积工具。
技术介绍
0、【现有技术】
1、在基板上沉积具有一种或多种半导体材料之外延层的装置是现代电子和计算机技术的支柱。然而，所述外延层的质量在很大程度上取决于用于半导体层的所述磊晶生长的基板的表面光洁度(surface finish)。例如，在电子装置朝着量子组件(如量子位)的方向不断小型化的过程中，需要在沉积的外延层内以及在其与上面和下面的层的界面上，特...
【技术保护点】
1.一种制造装置(10)的方法，所述装置包括在沉积设备(40)中沉积在单晶蓝宝石基板(20)的表面(22)上的一种或多种半导体材料的非孪晶外延层(30)，该方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，
3.如权利要求1或2所述的方法，
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，
6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，
7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，
8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，
9.如权利要求1至8中任一项
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种制造装置(10)的方法，所述装置包括在沉积设备(40)中沉积在单晶蓝宝石基板(20)的表面(22)上的一种或多种半导体材料的非孪晶外延层(30)，该方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，
3.如权利要求1或2所述的方法，
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，
6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，
7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，
8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，
9.如权利要求1至8中任一项所述的方法，
10.如权利要求1至9中任一项所述的方法，
11.如权利要求1至10中任一项所述的方法，
12.如权利要求1至11中任一项所述的方法，
13.如权利要求1至12中任一项所述的方法，
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金东泳，W·布劳恩，A·E·M·斯明克，
申请(专利权)人：马克斯·普朗克科学促进学会，
类型：发明
国别省市：
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