【技术实现步骤摘要】
本技术涉及鼓泡器，具体为一种半导体硅外延片生长用鼓泡器。
技术介绍
1、单晶硅外延，是在抛光硅片表面通过化学气相沉积的方法再生长一层几微米到几十微米单晶硅层，硅外延材料是集成电路和分立器件中重要的基础材料，硅外延片能够提供抛光片所没有的电参数，去除许多在晶体生长和加工成衬底材料过程中形成的表面和近表面缺陷，单晶硅外延片主要用于cmos逻辑电路、dram和分立器件制造，外延技术是解决大直径单晶硅片表面缺陷的一种重要手段，外延炉是硅外延的关键设备，外延炉的性能直接影响硅外延片的质量，鼓泡器是单晶硅外延设备中重要的气体提供部件，为了更好的生产单晶硅外延片，所以提出一种半导体硅外延片生长用鼓泡器。
2、如授权公告号为cn116463727a所公开的一种用于碳化硅外延设备的液态源物质鼓泡器及供气系统，包括罐体，罐体的端部设置有端板，端板上配置有管道，罐体内设置有曝气管、补液管及复数层隔板，隔板间隔的配置于罐体，且隔板上设置有透气孔，曝气管连通第一管道并经其连通至载气源，曝气管包括位于最下层的隔板的下方的第一管段，且第一管段上配置复数穿...
【技术保护点】
1.一种半导体硅外延片生长用鼓泡器，包括旋转座(7)和搅拌电机(13)，其特征在于：所述旋转座(7)的内壁上安装有搅拌电机(13)，所述搅拌电机(13)的输出端安装有蜗杆(10)，所述蜗杆(10)一侧的旋转座(7)内部活动安装有搅拌杆(12)，所述搅拌杆(12)的表面套装有蜗轮(11)，且蜗杆(10)与蜗轮(11)相互啮合，所述搅拌杆(12)的顶端活动安装有转接头(9)，所述转接头(9)的顶端安装有柔性软管(8)，所述搅拌杆(12)的侧壁上安装有连接管(14)，且柔性软管(8)贯穿转接头(9)和搅拌杆(12)与连接管(14)相连接，所述搅拌杆(12)的表面对称安装有两...
【技术特征摘要】
1.一种半导体硅外延片生长用鼓泡器，包括旋转座(7)和搅拌电机(13)，其特征在于：所述旋转座(7)的内壁上安装有搅拌电机(13)，所述搅拌电机(13)的输出端安装有蜗杆(10)，所述蜗杆(10)一侧的旋转座(7)内部活动安装有搅拌杆(12)，所述搅拌杆(12)的表面套装有蜗轮(11)，且蜗杆(10)与蜗轮(11)相互啮合，所述搅拌杆(12)的顶端活动安装有转接头(9)，所述转接头(9)的顶端安装有柔性软管(8)，所述搅拌杆(12)的侧壁上安装有连接管(14)，且柔性软管(8)贯穿转接头(9)和搅拌杆(12)与连接管(14)相连接，所述搅拌杆(12)的表面对称安装有两组叶片(15)，且连接管(14)延伸至叶片(15)的表面，所述连接管(14)的表面安装有等间距的多组出气孔(27)，所述旋转座(7)的外部设置有底架(1)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体硅外延片生长用鼓泡器，其特征在于：所述底架(1)的上方设置有顶架(2)，所述底架(1)的顶端安装有两组前桁架(17)，所述前桁架(17)的底端皆安装有下铰接轴(16)，且前桁架(17)通过下铰接轴(16)与底架(1)活动连接。
3.根据权利要求2所述的一种半导体硅外延片生长用鼓泡器，其特征在于：所述顶架(2)的底端安装有两组后桁架(19)，所述后桁架(19)的顶端皆安装有上铰接轴(20)，且后桁架(19)通过上铰接轴(20)与顶架(2)活动连接。
4.根据权利要求3所述的一种半导体硅外延片生长用鼓泡器...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾金海，闪晨晨，
申请(专利权)人：国芯半导体仪征有限公司，
类型：新型
国别省市：
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