半导体器件及其制造方法、电子设备技术

一种半导体器件及其制造方法以及电子设备，半导体器件包括：第一读取晶体管，包括与输入信号端连接的第一电极、与电容器连接的第二电极和与存储节点连接的第一栅电极；第二读取晶体管，包括与电容器连接的第三电极、与接地端连接的第四电极和与存储节点连接的第二栅电极；写入晶体管，包括与位线连接的第五电极、与存储节点连接的第六电极和与字线连接的第三栅电极；所述电容器的一端与所述第二电极和所述第三电极连接，另一端与读出信号端连接。本申请实施例的半导体器件的电路结构较简单。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及但不限于半导体，尤指一种半导体器件及其制造方法以及一种电子设备。

技术介绍

1、人工智能的进步需要强大算力的支撑，近年来随着人工神经网络技术的不断发展，算力瓶颈也愈专利技术显。在冯·诺伊曼架构中，逻辑控制器件与存储器是分离的单元，逻辑控制器件从存储器中读取数据，并进行相应处理后存回存储器。数据在逻辑控制器件与存储器之间来回传输，且存储器与逻辑控制器件分别处于不同的芯片内，数据在不同芯片之间进行的来回传输导致了功耗大且性能低的问题。

2、存算一体作为一种新的计算架构，核心是将存储与计算融合。将广义存算一体的技术分为三大类，分别是近存计算(processing near memory,pnm)、存内处理(processingin memory,pim)和行内计算(computing in memory,cim)。存内计算即狭义的存算一体。存内计算能够实现数据的存内处理，减少了数据流动次数，实现计算加速。

技术实现思路

1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一读取晶体管、第二读取晶体管、写入晶体管和电容器；

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一读取晶体管和所述写入晶体管为N型晶体管，所述第二读取晶体管为P型晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一读取晶体管和所述第二读取晶体管位于衬底的同一主表面上间隔设置，所述写入晶体管堆叠于所述第一读取晶体管和所述第二读取晶体管上方。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述电容器位于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间，并且所述电容器位于所述写入晶体管与所述衬底之间。...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一读取晶体管、第二读取晶体管、写入晶体管和电容器；

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一读取晶体管和所述写入晶体管为n型晶体管，所述第二读取晶体管为p型晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一读取晶体管和所述第二读取晶体管位于衬底的同一主表面上间隔设置，所述写入晶体管堆叠于所述第一读取晶体管和所述第二读取晶体管上方。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述电容器位于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间，并且所述电容器位于所述写入晶体管与所述衬底之间。

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一读取晶体管和所述第二读取晶体管为平面型晶体管；所述第一读取晶体管包括连接所述第一电极与所述第二电极的第一半导体层，所述第二读取晶体管包括连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志轩，周孟龙，余泳，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：