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一种半导体器件及其制造方法以及电子设备，半导体器件包括：第一读取晶体管，包括与输入信号端连接的第一电极、与电容器连接的第二电极和与存储节点连接的第一栅电极；第二读取晶体管，包括与电容器连接的第三电极、与接地端连接的第四电极和与存储节点连接的...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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