【技术实现步骤摘要】
本实施方式涉及半导体制造装置。
技术介绍
1、在拾取薄厚度芯片(薄厚度电子部件)时,采用多级顶起方式较为有效。但是,若芯片的纵横比变大,芯片变细,则难以制作用于多级顶起方式的夹具。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:日本特开2003-109979号公报
技术实现思路
1、专利技术将要解决的课题
2、提供能够更适当地进行电子部件的拾取的半导体制造装置。
3、用于解决课题的手段
4、本实施方式的半导体制造装置具备顶起部、移载部、电子部件保持部、及搭载部。顶起部能够顶起从晶圆单片化的多个电子部件中的相邻的多个电子部件。移载部能够移载由顶起部顶起的多个电子部件。电子部件保持部能够保持由移载部移载的多个电子部件。搭载部使电子部件保持部所保持的电子部件搭载于被搭载物。顶起部的至少一部分能够以在同一面上跨越相邻的多个电子部件的方式顶起相邻的多个电子部件。电子部件保持部能够按照电子部件的每一个切换电子部件的保持状态与电子
...【技术保护点】
1.一种半导体制造装置,其特征在于,具备:
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其特征在于,
3.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其特征在于,
4.根据权利要求3所述的半导体制造装置,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的半导体制造装置,其特征在于,
6.根据权利要求5所述的半导体制造装置,其特征在于,
7.根据权利要求3所述的半导体制造装置,其特征在于,
8.根据权利要求3所述的半导体制造装置,其特征在于,
9.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其特征在于,
...【技术特征摘要】
1.一种半导体制造装置,其特征在于,具备:
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其特征在于,
3.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其特征在于,
4.根据权利要求3所述的半导体制造装置,其特征在于,
5.根据权利要求3所述的半导体制造装置,其特征在于,
6.根据权利要求5所述的半导体制造装置,...
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