半导体器件及其制备方法、存储器系统技术方案

本申请实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括沿第一方向延伸的半导体柱，半导体柱包括第一部以及位于第一部一侧的第二部，其中第一部的第一端沿第一方向与第二部的第二端连接；以及在垂直于第一方向的方向，第一端的尺寸D1与第二端的尺寸D2满足：D1＞D2。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体设计及制备领域，更具体地，涉及半导体器件、半导体器件的制备方法以及存储器系统。

技术介绍

1、存储器是电子系统中重要的存储部件之一。以动态随机存取存储器(dynamicrandom access memory，dram)为例，半导体器件可包括由电容和晶体管构成的存储单元，其中多个存储单元可排列成二维阵列的形式。为了进一步缩小二维阵列的尺寸，晶体管可包括垂直栅极晶体管阵列(vertical gate transistor，vgt)。在这种结构下，晶体管可包括垂直延伸的半导体柱，分别位于半导体柱延伸方向的两端的源极和漏极，以及在半导体柱的至少一侧形成的栅极结构。

2、随着半导体技术的飞速发展，如何优化半导体器件的综合性能、简化制备工艺和降低工艺成本是行业内的重要研究方向之一。

技术实现思路

1、本申请提供了一种可至少部分解决上述问题或本领域其他问题的半导体器件的制备方法、半导体器件及存储器系统。

2、本申请一方面提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括沿第一方向延伸的半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括沿第一方向延伸的半导体柱，所述半导体柱包括第一部以及位于所述第一部一侧的第二部，

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二部还包括在所述第一方向与所述第二端相对的第三端，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二部还包括在所述第一方向与所述第二端相对的第三端，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件，其中，所述第二部包括沿所述第一方向依次设置的多个子部，所述第二部还包括在所述第一...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括沿第一方向延伸的半导体柱，所述半导体柱包括第一部以及位于所述第一部一侧的第二部，

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二部还包括在所述第一方向与所述第二端相对的第三端，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二部还包括在所述第一方向与所述第二端相对的第三端，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件，其中，所述第二部包括沿所述第一方向依次设置的多个子部，所述第二部还包括在所述第一方向与所述第二端相对的第三端，

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述多个子部中的至少一个的第二子端在垂直于所述第一方向的方向上的尺寸d6与所述多个子部中的至少一个在所述第一方向的延伸长度h1满足：1/8≤d6/h1≤1/7。

10.根据权利要求2-5中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵婷婷，李思晢，高晶，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：