【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及存储器装置、存储器装置操作，且例如涉及使用扩展里德-所罗门(reed-solomon)码字在存储器装置中进行双重装置数据校正。
技术介绍
1、存储器装置广泛用于存储各种电子装置中的信息。存储器装置包含存储器单元。存储器单元是能够编程到两种或更多种数据状态中的数据状态的电子电路。举例来说，存储器单元可编程到表示单个二进制值(通常由二进制“1”或二进制“0”表示)的数据状态。作为另一实例，存储器单元可编程到表示小数值(例如0.5、1.5或类似者)的数据状态。为了存储信息，电子装置可写入到或编程一组存储器单元。为了存取存储信息，电子装置可从所述一组存储器单元读取或感测存储状态。
2、存在各种类型的存储器装置，包含随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、静态ram(sram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、全息ram(hram)、快闪存储器(例如nand存储器及nor存储器)及其它。存储器装置可为易失性或非易失...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一码字是与第一里德-所罗门RS有效负载相关联的第一RS码字，
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述一或多个组件进一步经配置以用与所述第一错误相关联的第一组数据替换存储于所述第一组错误校正元件中的第一错误校正元件处的奇偶校验信息。
4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述一或多个组件进一步经配置以用与所述第二错误相关联的第二组数据替换存储于所述第一组错误校正元件中的第二错误校正元件处的奇偶校验信息。
5.根据权利要求3所述的存储器装置，...
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一码字是与第一里德-所罗门rs有效负载相关联的第一rs码字，
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述一或多个组件进一步经配置以用与所述第一错误相关联的第一组数据替换存储于所述第一组错误校正元件中的第一错误校正元件处的奇偶校验信息。
4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述一或多个组件进一步经配置以用与所述第二错误相关联的第二组数据替换存储于所述第一组错误校正元件中的第二错误校正元件处的奇偶校验信息。
5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述一或多个组件进一步经配置以基于用所述第一组数据替换存储于所述第一错误校正元件处的所述奇偶校验信息来确定存储于所述第二组错误校正元件处的所述奇偶校验信息。
6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述一或多个组件进一步经配置以：
7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述一或多个组件进一步经配置以将所述第一存储器条带与所述第二存储器条带之间的关联性的指示存储于动态存储组件中。
8.一种方法，其包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一码字是与第一里德-所罗门rs有效负载相关联的第一rs码字，
10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括由所述存储器装置用与所述第一错误相关联的第一组数据替换存储于所述第一组错误校正元件中的第一错误校正元件处的奇偶校验信息。
11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括由所述存储器装置用与所述第二错误相关联的第二组数据...
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