一种提高半导体晶圆加热器热均匀性的设计方法技术

本发明专利技术公开了一种提高半导体晶圆加热器热均匀性的设计方法，涉及半导体应用技术领域，包括以下步骤：S1:收集半导体晶圆加热器制造所需材料的物理特性数据；S2:收集半导体晶圆加热器所需的热性能和电性能数据；S3:收集半导体晶圆加热器所需的尺寸数据；S4:根据S1‑S3中收集的数据计算所需加热丝布置数量；S5:根据S1‑S3中收集的数据和S4中的计算结果计算加热丝布局位置；S6:在S5的计算基础上优化布局位置，所述步骤S1收集的数据包括但不限于半导体晶圆加热器制造所需各种材料的密度ρ、比热容c和导热系数k以及材料交界界面的热阻系数rh、表面发射率e等数据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体应用，具体为一种提高半导体晶圆加热器热均匀性的设计方法。

技术介绍

1、在半导体硅片制造和处理的工艺流程中，比如刻蚀或者化学气相沉积等工艺流程中，常常需要使得硅片满足特定的温度条件和气氛条件。加热器设置于反应腔室中，其与硅片相接触，控制硅片的温度分布，使其满足相应的工艺温度要求。

2、对于现有的设计方法，由于现有设计方法常常是根据大量实验得到经验性的结果，再进行设计改进，从而得到较好的温度均匀性。这些方法均需要大量的实验成本和时间成本，同时还难以保证得到足够好的温度分布均匀性。

3、因此，为了提高半导体晶圆加热器热均匀性，亟需开发一种新的设计和制造方法，来解决加热器设计时的效率低、成本高和制造时的可靠性低、泛用性差等问题。

技术实现思路

1、鉴于现有技术的局限性，本专利技术旨在提供一种提高半导体晶圆加热器热均匀性的设计方法。

2、该设计方法可以通过科学的计算和优化方法提高半导体晶圆加热器的热均匀性、设计效率，也可以提升半导体晶圆加热器的可靠性和泛用性。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提高半导体晶圆加热器热均匀性的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的提高半导体晶圆加热器热均匀性的设计方法，其特征在于，所述步骤S1收集的数据包括但不限于半导体晶圆加热器制造所需各种材料的密度ρ、比热容c和导热系数k以及材料交界界面的热阻系数rh、表面发射率e数据。

3.根据权利要求1所述的提高半导体晶圆加热器热均匀性的设计方法，其特征在于，所述步骤S2收集的数据包括但不限于半导体晶圆加热器所需的加热功率P、耐高压绝缘的耐压值U、加热温度T数据。

4.根据权利要求1所述的提高半导体晶圆加热器热均匀性的设计方法，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种提高半导体晶圆加热器热均匀性的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的提高半导体晶圆加热器热均匀性的设计方法，其特征在于，所述步骤s1收集的数据包括但不限于半导体晶圆加热器制造所需各种材料的密度ρ、比热容c和导热系数k以及材料交界界面的热阻系数rh、表面发射率e数据。

3.根据权利要求1所述的提高半导体晶圆加热器热均匀性的设计方法，其特征在于，所述步骤s2收集的数据包括但不限于半导体晶圆加热器所需的加热功率p、耐高压绝缘的耐压值u、加热温度t数据。

4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉华，胡烺，张哲，吴金鹏，路卫卫，
申请(专利权)人：上海同芯构技术有限公司，
类型：发明
国别省市：