【技术实现步骤摘要】
本公开涉及发光器件领域,特别涉及一种发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode,led)是一种能发光的半导体器件。
2、相关技术提供了一种发光二极管,发光二极管结构包括衬底、外延结构、电极、电极焊盘和反射层。外延结构位于衬底上,电极位于外延结构上,反射层覆盖衬底、外延结构和电极,电极焊盘穿过反射层与电极连接。
3、上述结构的发光二极管存在焊接不牢,发光二极管容易脱落的问题,发光二极管的可靠性低。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法,能够明显提高焊盘的焊接面积,提升发光二极管焊接时的粘合力。所述技术方案如下:
2、一方面,提供了一种发光二极管,所述发光二极管包括:衬底、外延结构、电极、电极焊盘、反射层和焊接金属结构;
3、所述外延结构位于所述衬底,所述外延结构具有开设到所述衬底的隔离槽,所述外延结构呈台阶结构,所述台阶结构具有台阶顶面和台阶底面,所述电极包括第一电极和
...【技术保护点】
1.一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括:衬底(101)、外延结构(10)、电极(105)、电极焊盘(106)、反射层(107)和焊接金属结构(189);
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述焊接金属结构(189)包括第一金属结构(108),所述第一金属结构(108)位于所述反射层(107)表面,且所述第一金属结构(108)绕所述发光二极管的边缘布置。
3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述第一金属结构(108)包括多个第一金属块(180),所述多个第一金属块(180)分为至少两组,每组内的所述第一金属块
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括:衬底(101)、外延结构(10)、电极(105)、电极焊盘(106)、反射层(107)和焊接金属结构(189);
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述焊接金属结构(189)包括第一金属结构(108),所述第一金属结构(108)位于所述反射层(107)表面,且所述第一金属结构(108)绕所述发光二极管的边缘布置。
3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述第一金属结构(108)包括多个第一金属块(180),所述多个第一金属块(180)分为至少两组,每组内的所述第一金属块(180)的间距小于不同组的所述第一金属块(180)的间距,两组所述第一金属块(180)的间隔对应所述第一电极焊盘(1061)和所述第二电极焊盘(1062)的间隔。
4.根据权利要求2或3所述的发光二极管,其特征在于,所述焊接金属结构(189)还包括第二金属结构(109),所述第二金属结构(109)位于所述反射层(107)和所述衬底(101)之间,所述第二金属结构(109)的侧壁露出,且所述第一金属结构(108)绕所述发光二极管的边缘布置。
5.根据权利要求4所...
【专利技术属性】
技术研发人员:王顺,卫婷,周宇,楼高铭,李帅,张梦竹,
申请(专利权)人:京东方华灿光电浙江有限公司,
类型:发明
国别省市:
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