【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件，并且具体地涉及包括形成在半导体器件的沟槽中的静电保护器件的半导体器件。
技术介绍
1、静电放电(esd)是不同带电物体之间电荷的突然转移。作为半导体器件一部分形成的某些电气部件(例如基于mos的晶体管器件)有被esd损坏的风险。这尤其可能是晶体管器件的栅极氧化物层被减薄以提供较低的操作阈值电压的情况。
2、esd保护器件可用于防止突然的esd事件，以防止有源部件例如晶体管受到损坏。这种esd保护器件可以包括连接到有源电气部件的一个或多个二极管。这些二极管中的至少一些二极管被布置为使得在esd的情况下，电流以相反的方向流过二极管，并且因此二极管仅在突然出现大电压尖峰的情况下传导电流。
3、可能需要实施esd保护器件的一种电气部件是沟槽栅极晶体管器件。沟槽栅极晶体管器件形成在半导体衬底中所提供的沟槽中。参考图1，其例示了其中形成沟槽栅极晶体管器件的半导体器件100。半导体器件100包括衬底102，衬底102的下部108是n掺杂区108，而衬底的上部106是p掺杂区106。半导体器件100还包括形...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个沟槽是设置在所述半导体衬底的第二区域中的多个第二沟槽，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一金属层电连接到所述沟槽栅极晶体管器件中的每个沟槽栅极晶体管器件的第一端子，
4.根据权利要求2或权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二沟槽比所述至少一个第一沟槽更深。
5.根据任一前述权利要求所述的半导体器件，其中所述连接电极中的每个连接电极电连接在所述沟槽中的相邻沟槽的两个对应的第一掺杂区之间。
6.根据权利要求1至4中任一项所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个沟槽是设置在所述半导体衬底的第二区域中的多个第二沟槽，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一金属层电连接到所述沟槽栅极晶体管器件中的每个沟槽栅极晶体管器件的第一端子，
4.根据权利要求2或权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二沟槽比所述至少一个第一沟槽更深。
5.根据任一前述权利要求所述的半导体器件，其中所述连接电极中的每个连接电极电连接在所述沟槽中的相邻沟槽的两个对应的第一掺杂区之间。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，其中所述连接电极中的一些连接电极，与属于不同沟槽的所述第二掺杂区形成连...
【专利技术属性】
技术研发人员：马诺耶·库马尔，奇莫伊·考德，基里安·翁，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：
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