用于防止唇形密封件镀出的晶片屏蔽制造技术

通过最小化或消除流向唇形密封件的离子电流来最小化或消除在半导体衬底上电沉积金属期间金属在唇形密封件上的不希望的沉积(唇形密封件镀出)。例如，可以进行电沉积以避免在电镀过程中唇形密封件与半导体衬底上的阴极偏置导电材料接触。这可以通过屏蔽靠近唇形密封件的小选定区域以抑制靠近唇形密封件的金属的电沉积并避免金属与唇形密封件接触来实现。在一些实施方案中，通过在将金属电镀成贯穿抗蚀剂特征的过程中顺序地使用不同内径的唇形密封件来实现屏蔽，其中在第一电镀步骤期间使用具有较小直径的唇形密封件并将其用作在选定区域中阻挡电沉积的屏蔽物。在第二个电镀步骤中，使用较大内径的唇形密封件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于制造半导体器件的方法和装置。具体而言，本专利技术的实施方案涉及金属的电沉积，特别是贯穿掩模电镀。

技术介绍

1、半导体器件制造中的贯穿掩模电镀涉及将金属电沉积到凹陷特征(贯穿掩模的凹陷特征)中，该凹陷特征在凹陷特征的底部具有暴露的导电层。这些衬底中的凹陷特征的侧壁和场区由非导电掩模材料(例如光致抗蚀剂)制成。在电镀期间，半导体衬底通过与掩膜材料下面的导电层进行电接触并通过从电源向该层施加负电压而被阴极偏置。该接触通常在衬底保持器组件中的半导体衬底的外围处进行。

2、衬底保持器通常还包括保持半导体衬底的杯和弹性体唇形密封件，该弹性体唇形密封件将晶片衬底的外边缘和背面从电解液密封。在电镀过程中，使阴极偏置的衬底与电解液接触，从而导致电解液在与半导体衬底上的阴极偏置金属接触时引起电解液中所含离子的电化学还原。在某些应用中，例如在晶片级封装(wlp)中，使用含有锡和银离子的电解液对两种金属(例如锡和银)进行电镀。然后可以使用形成的锡银(snag)凸块将多个衬底焊接在一起。

3、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种将金属电沉积到具有多个贯穿掩模的凹陷特征的半导体衬底上同时防止或减少金属在电镀装置的唇形密封件上的沉积的方法，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在(b)中的所述选定区域中电沉积所述第二金属不会导致在所述掩模的平面上方电沉积。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在(b)中的所述选定区域中电沉积所述第二金属不会导致电沉积的所述第二金属与所述第二唇形密封件接触。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，(b)导致在所述选定区域之外的所述掩模的平面上方电沉积所述第二金属。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，(b)导致在所述选...

【技术特征摘要】

1.一种将金属电沉积到具有多个贯穿掩模的凹陷特征的半导体衬底上同时防止或减少金属在电镀装置的唇形密封件上的沉积的方法，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在(b)中的所述选定区域中电沉积所述第二金属不会导致在所述掩模的平面上方电沉积。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在(b)中的所述选定区域中电沉积所述第二金属不会导致电沉积的所述第二金属与所述第二唇形密封件接触。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，(b)导致在所述选定区域之外的所述掩模的平面上方电沉积所述第二金属。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，(b)导致在所述选定区域之外的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：格雷戈里·J·卡恩斯，蔡利平，雅各布·柯蒂斯·布利肯斯德弗，史蒂文·T·迈耶，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：